p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 25 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 25 V,planaires epitaxiaux,classement amb

BS 9364 N013-1979

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 25 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 25 V,planaires epitaxiaux,classement amb

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实施日期： 1979-01-15

ICS分类号： 31.080.30 - 电子学 - 三极管

标准组织： BS - 英国标准学会标准

全文来源： WF

中文关键词：评估的质量资格鉴定半导体器件开关电路设计额定电压尺寸电压开关电流频率温度额定值试验条件外延层质量管理统计质量控制额定电流额定功率晶体管工作范围认可试验电容检验电子设备及元件双极晶体管电性质和电现象作标记质量保证体系

语种： eng

页数： 12

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