n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65 V,planaires epitaxiaux,classement amb

BS 9364 N016-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65 V,planaires epitaxiaux,classement amb

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实施日期： 1979-01-15

ICS分类号： 31.080.30 - 电子学 - 三极管

标准组织： BS - 英国标准学会标准

全文来源： WF

中文关键词：质量保证体系作标记电性质和电现象双极晶体管电子设备及元件额定电流检验电容认可试验工作范围晶体管额定功率统计质量控制质量管理外延层试验条件额定值温度频率开关电压电流尺寸额定电压设计开关电路半导体器件资格鉴定评估的质量

语种： eng

页数： 12

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