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BS EN 60749-17-2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐射

Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Pruefverfahren. Neutronenbestrahlung Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 17:Neutron irradiation Dispositifs a semiconducteurs. Methodes d'essais mecaniques et climatiques. Irradiation aux neutrons CORR 15223:June 29,2004

适用范围:The neutron irradiation test is performed to determine the susceptibility of semiconductor devices to degradation in the neutron environment. The tests described herein are applicable to integrated circuits and discrete semiconductor devices. This test is intended for military-and space-related applications. It is a destructive test. The objectives of the test are as follows: a) to detect and measure the degradation of critical semiconductor device parameters as a function of neutron fluence, and b) to determine if specified semiconductor device parameters are within specified limits after exposure to a specified level of neutron fluence (see Clause 4).

实施日期: 2003-06-19

中标分类号: L40 - 电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件综合

ICS分类号: 31.080.01 - 电子学 - 半导体器件综合

标准组织: BS - 英国标准学会标准

全文来源: WF

中文关键词: 气候试验 电气工程 破坏试验 试验 半导体 集成电路 中子射线 气候 辐射效应 环境试验 半导体器件 电学测量 电子工程 机械试验 电子设备及元件 元部件

语种: 汉语

页数: 10

标准解读