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GB 11095-1989

霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片

Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices

中标分类号: H81 - 冶金 - 半金属

ICS分类号: 77.160 - 冶金 - 粉末冶金

标准组织: GB - 国家标准

全文来源: WF

中文关键词: 砷化物 镓无机化合物 元部件 霍耳效应 液相外延片 甘氏器件

语种: 汉语

页数: 0

标准解读