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GB/T 11297.7-1989
Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
适用范围：本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。 本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。 本方法适用于电阻率lO^-3～10^2Ω·cm的锑化铟单晶样品。
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