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GB/T 11297.7-1989

锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals

发布日期: 1989-03-31

实施日期: 1990-01-01

中标分类号: L32 - 电子元器件与信息技术

ICS分类号: 29.040.30 - 电气工程 - 半导体材料

标准组织: GB - 国家标准

全文来源: WF

中文关键词: 晶体 电阻率 测量 霍耳效应 铟无机化合物 锑化物 霍耳系数

语种: 汉语

页数: 24

标准解读