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GB/T 14142-1993
Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques
适用范围：本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。 本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0～10000cm^2。
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