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GB/T 14847-2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

发布日期: 2011-01-10

实施日期: 2011-10-01

中标分类号: H80 - 冶金 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类号: 29.045 - 电气工程 - 半导体材料

标准组织: GB - 国家标准

全文来源: 质检出版社

中文关键词: 测量 外延层 厚度 红外线辐射 衬底(绝缘)

语种: 汉语

页数: 11

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