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GB/T 14863-2013

用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

发布日期: 2013-12-31

实施日期: 2014-08-15

作废日期: 2017-12-15

中标分类号: H80 - 冶金 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类号: 29.045 - 电气工程 - 半导体材料

标准组织: GB - 国家标准

全文来源: 质检出版社

中文关键词: 外延层 电容 二极管 电压 半导体器件

语种: 汉语

页数: 14

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