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GB/T 5201-1994
Test procedures for semiconductor chargedparticle detectors
适用范围：本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。 本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。 全耗尽金硅面垒型探测器的某些性能测试也应参照本标准进行。
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