请选择需要导出的字段：
SJ 50033/120-1997
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS205 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
知识产权声明 | 服务承诺 | 联系我们 | 客户服务 | 关于我们
网络出版服务许可证：(署)网出证(京)字第072号 互联网药品信息服务资格证书号：(京)-经营性-2016-0015 信息网络传播视听节目许可证 许可证号：0108284
万方数据标准管理系统V2.0 证书号:软著登字第11198474号
京ICP证：010071 京公网安备11010802020237号 京ICP备08100800号-1
客服电话：4000115888 客服邮箱：service@wanfangdata.com.cn 违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn 举报专区：https://www.12377.cn
万方数据知识服务平台--国家科技支撑计划资助项目（编号：2006BAH03B01）©北京万方数据股份有限公司 万方数据电子出版社
