Indium antimonide polycrystal，single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了锑化锢多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化锢多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-02-01
Standard Practice for Preparation of Samples of the Constant Composition Region of Epitaxial Gallium Arsenide Phosphide for Hall Effect Measurements
实施日期：1977-05-27
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
适用范围：本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。本...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Gallium arsenide single crystal cutting wafer grown by horizontal bridgman method
适用范围：本标准规定了水平法砷化锌单晶（以下简称砷化锦单晶）及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锌单晶及切割片。
发布日期：2020-09-29 实施日期：2021-08-01
Indium antimonide polycrystal single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle
适用范围：本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。 本标准适用于测试室温下电阻率大于5Ω·cm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×10<sup>16</...
发布日期：2015-10-10 实施日期：2016-04-01
Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
适用范围：本标准规定了用二次离子质谱法（SIMS）对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Specification for a universal wafer grid
适用范围：本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。 本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。
发布日期：2019-03-25 实施日期：2020-02-01
Test Methods for Crystallographic Perfection of Gallium Arsenside by Molten Potassium Hydroxide(KOH)Etch Technique
发布日期：1995-12-21 实施日期：1995-12-21
Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells
适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片（简称硅片）的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。本标准适用于直拉法（ CZ / MCZ ）制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。
发布日期：2011-01-10 实施日期：2011-10-01
The sapphire substrates for nitride based light-emitting diode
发布日期：2009-11-17 实施日期：2010-01-01
High pure germanium tetrachloride
适用范围：本标准规定了高纯四氯化锗的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容等。本标准适用于以粗四氯化锗为原料，经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用于石英光导纤维的掺杂剂及高纯二...
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Test Methods for Measuring Resistivity,Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors(Van Der Pauw Method)
发布日期：1995-12-21 实施日期：1995-12-21
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of the volume fraction of components in dopant gas mixtures by wet-chemical methods - Part 1: Diborane in hydrogen diborane mixtures
Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
适用范围：本标准规定了利用范德堡法测试6H、4H等晶型碳化硅单晶的导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
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