Gallium phosphide single crystal
适用范围：本文件规定了磷化家单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化家单晶庭及磷化嫁单品研磨片。
发布日期：2022-03-09 实施日期：2022-10-01
Testing of materials for semiconductor technology; determination of etch rates of etching mixtures; silicium-dioxid coating; optical method
适用范围：The standard defines the test method for the determination of etch rates of etch mixtures on siliciumdioxid coatings.
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of the geometric dimensions of semiconductor wafers - Part 1: Thickness and thickness variation
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 7: Determination of CO and H<(Index)2> in nitrogen by gaschromatography and redu...
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
发布日期：2008-03-12 实施日期：2008-09-01
Designations of semiconductor materials
适用范围：本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。 本标准适用于编制半导体材料的牌号。在编写国家标准和行业标准时，应采用本标准所规定的牌号表示方法。产品出厂时，应使用本标准规定的牌号标志。
发布日期：1993-12-30 实施日期：1994-09-01
Thermal analysis; determination of melting temperatures of crystalline materials by differential thermal analysis
Gallium arsenide single crystal for solar cell
适用范围：本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。
发布日期：2010-09-02 实施日期：2011-04-01
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
适用范围：本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
适用范围：本标准规定了 4H及6H碳化硅单晶拋光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同）内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面拋光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制...
发布日期：2014-12-31 实施日期：2015-09-01
Indium phosphide single crystal
适用范围：本标准规定了n型，半绝缘型（Si），p型磷化铟单晶锭及单晶锭片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化铟单晶材料(以下简称单晶)。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Liquid encapsulated czochralski - grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件...
发布日期：2007-09-11 实施日期：2008-02-01
Annealed monocrystalline silicon wafers
适用范围：本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 n...
发布日期：2022-03-09 实施日期：2022-10-01
Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
适用范围：本标准规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Determination of iron,aluminium and calcium for export silicon metal-Volumetric method
适用范围：本标准规定了用EDTA容量法测定铁、铝、钙含量的方法。本标准适用于出口金属硅中铁、铝、钙含量的测定。测定范围0.l%～1.5%。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1996-12-01
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
适用范围：本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、 硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(A1)、砷(A...
发布日期：2016-04-25 实施日期：2016-11-01
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