Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers
适用范围：本标准规定了半绝缘砷化镓（GaAs）热稳定性的试验方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Epitaxial wafers of light-emitting diodes
适用范围：本标准规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。 本标准适用于稼砷磷系、稼铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。
发布日期：2014-10-29 实施日期：2015-04-01
Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence
适用范围：本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷（GaAs1-xPx）晶片组分进行测试的方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
High purity gallium oxide
适用范围：本标准规定了高纯三氧化二镓的要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同）内容等。 本标准适用于以高纯镓为原料，经氧化和粉末工艺制得的纯度为99.999 5%和99.999 9%的高纯三氧化二镓。产品...
发布日期：2014-10-14 实施日期：2015-04-01
Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulating semiconductor wafer
适用范围：本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的非接触式测量方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Monocrystalline sapphire ingot
适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同）内容。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭，产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料（以下简称晶锭...
发布日期：2014-12-22 实施日期：2015-09-01
Gallium arsenide single crystal
适用范围：本文件规定了砷化稼单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的，用于制备光电子、微电子等器件的砷化稼单...
发布日期：2021-05-21 实施日期：2021-12-01
Testing of materials for semiconductor technology; determination of the dislocations etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors; galliumarsenide
Test method for determining crystal type of monocrystalline silicon carbide
适用范围：本标准规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶结晶类型的方法。 本标准适用于碳化硅单晶晶型的测定。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Polished mono-crystalline sapphire substrate product
适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片（以下简称蓝宝石衬底片）。
发布日期：2014-07-24 实施日期：2015-04-01
Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching
适用范围：本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。
发布日期：2014-07-24 实施日期：2015-02-01
Carboxyethyl-germanium sesquioxide
适用范围：本标准规定了羧乙基错倍半氧化物的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）等内容。
发布日期：2014-10-14 实施日期：2015-04-01
Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers
适用范围：本标准规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。 本规范适用于晶型为6H和4H，单面或双面抛光，直径100 mm及以下的碳化硅单晶拋光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛...
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting
适用范围：本标准规定了 LED 发光用氮化稼基外延片（以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
发布日期：2014-07-24 实施日期：2015-04-01
Testing technical specification for patterned sapphire substrate
实施日期：2014-07-18
LED modules for Downlights Interchangeability specifications
实施日期：2015-11-03
Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide
适用范围：本标准规定了碳化硅单晶抛光片表面质量的目视检验方法，观察样品表面的六方孔洞、划痕、凹坑、颗粒、沾污、亮点缺陷、裂纹、崩边的数量并用钢板尺测量划痕的总长度等。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
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