Carbon/carbon U shape heating element of hydrogenation furnace
适用范围：本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、 储存、质量证明书和订货单(或合同）内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。
发布日期：2014-10-14 实施日期：2015-04-01
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。
发布日期：2007-09-11 实施日期：2008-02-01
Gallium phosphide single crystal
适用范围：本标准规定了非掺杂，掺S，掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化镓单晶材料（以下简称单晶）。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
GaP substrates for LED epitaxial chips
适用范围：本标准规定了 LED 外延芯片用磷化稼单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
发布日期：2014-07-24 实施日期：2015-04-01
Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell
适用范围：本标准规定了太阳能电池用砷化稼单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化稼单晶抛光片(以下简称砷化稼抛光片)。
发布日期：2017-12-29 实施日期：2018-07-01
Test method for measuring etch pit density(EPD)in low dislocation density gallium arsenide wafers
适用范围：本标准规定了低位错密度砷化镓（GaAs）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴ compounds for solar cell
适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片(以下简称"外延片")的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片。
发布日期：2017-12-29 实施日期：2018-07-01
Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes
适用范围：本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。 本标准适用于镓砷磷系、铝镓铟磷系及氯镓铟氮系外延片。
发布日期：2014-10-14 实施日期：2015-04-01
Standard Test Method for Thermal Stability Testing of Gallium Arsenide Wafers
实施日期：1989-02-24
Gallium arsenide single crystal
适用范围：本标准规定了砷化镓单晶的产品分类，技术要求，试验方法，检验规则和标志，包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件，微波器件，集成电路，传感元件和窗口材料等的制作。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Carbon/carbon composites guide shield of single crystal furnace
适用范围：本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、 储存、质量证明书和订货单(或合同）内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒。
发布日期：2014-10-14 实施日期：2015-04-01
Determination of boron concentration in gallium arsenide by infrated absorption
适用范围：本标准规定了在77K时，用红外吸收法来测定砷化镓（GaAs）中替位硼含量的方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride
适用范围：本标准规定了氮化镓外延片(以下简称外延片)及氮化镓衬底片(以下简称衬底片)的通用规范，包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极...
发布日期：2018-12-28 实施日期：2019-07-01
Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
适用范围：本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。
发布日期：2014-07-24 实施日期：2015-02-01
Gallium phosphide single crystal
适用范围：本文件规定了磷化家单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化家单晶庭及磷化嫁单品研磨片。
发布日期：2022-03-09 实施日期：2022-10-01
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
适用范围：本标准规定了 4H及6H碳化硅单晶拋光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同）内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面拋光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制...
发布日期：2014-12-31 实施日期：2015-09-01
Indium phosphide single crystal
适用范围：本标准规定了n型，半绝缘型（Si），p型磷化铟单晶锭及单晶锭片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化铟单晶材料(以下简称单晶)。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Liquid encapsulated czochralski - grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件...
发布日期：2007-09-11 实施日期：2008-02-01
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