Package of silicon wafers
适用范围：本标准规定了硅片的包装。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片、SOI等硅片的洁净包装、硅单晶研磨片(简称硅研磨片)包装和太阳能电池用硅片包装，使其在运输、贮存过程中避免再次沾污和破碎。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Test method for measuring resistivity hall coefficient and determining hall mobility in semi-insulating GaAs single crystals
适用范围：本标准规定了半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法。
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Polished mono-crystalline sapphire substrate product
适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片（以下简称蓝宝石衬底片）。
发布日期：2014-07-24 实施日期：2015-04-01
Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers
适用范围：この規格は，シリコンのスライス又はラッしたウエーハ（以下，ウエーハという。）の外観検査について規定する。
Monocrystalline silicon polished wafers
适用范围：本标准规定了硅单晶抛光片（简称硅抛光片）的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制...
发布日期：2003-06-16 实施日期：2004-01-01
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
适用范围：本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
发布日期：2014-12-31 实施日期：2015-09-01
Test methods for bow of silicon wafers
适用范围：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
STANDARD GUIDE FOR THE MEASUREMENT OF RAPID ANNEALING OF NEUTRON- INDUCED DISPLACEMENT DAMAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICES (E1-1987)
实施日期：1992-01-15
Test Methods for Crystallographic Perfection of Gallium Arsenside by Molten Potassium Hydroxide(KOH)Etch Technique
发布日期：1995-12-21 实施日期：1995-12-21
Specification for a universal wafer grid
适用范围：本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。 本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。
发布日期：2019-03-25 实施日期：2020-02-01
Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle
适用范围：本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。 本标准适用于测试室温下电阻率大于5Ω·cm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×10<sup>16</...
发布日期：2015-10-10 实施日期：2016-04-01
High pure germanium tetrachloride
适用范围：本标准规定了高纯四氯化锗的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容等。本标准适用于以粗四氯化锗为原料，经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用于石英光导纤维的掺杂剂及高纯二...
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers
适用范围：本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法，包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。 本标准适用于碳化桂单晶拋光片表面粗糙度的测试。其中，原子力显微镜法仅适用于经过化学机械拋光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在...
发布日期：2015-04-30 实施日期：2015-10-01
Standard Practice for Preparation of Samples of the Constant Composition Region of Epitaxial Gallium Arsenide Phosphide for Hall Effect Measurements
实施日期：1977-05-27
Indium antimonide polycrystal single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Gallium arsenide single crystal cutting wafer grown by horizontal bridgman method
适用范围：本标准规定了水平法砷化锌单晶（以下简称砷化锦单晶）及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锌单晶及切割片。
发布日期：2020-09-29 实施日期：2021-08-01
Solar-grade casting multi-crystalline silicon brick
适用范围：本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。
发布日期：2012-12-31 实施日期：2013-10-01
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