YS/T 68-2014

砷

Arsenic

适用范围：本标准规定了砷的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、合同（或订货单)及安全。 本标准适用于以三氧化二砷（As2O3)为原料，经升华、还原、冷却而制得的砷。该产品主要用于生产合金和半导体等行业。

发布日期：2014-10-14  实施日期：2015-04-01

ASTM E1438-2006

使用SIMS测量溅射深压型中界面宽度的指南

Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS

适用范围：<p id="s00014">Although it would be desirable to measure the extent of profile distortion in any unknown sample by using a standard sample and this guide, measurements of interface width (profile disto...

实施日期：2006-11-01

GB/T 36706-2018

磷化铟多晶

Polycrystalline indium phosphide

适用范围：本标准规定了磷化锢多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于生产磷化锢单晶用的磷化锢多晶。

发布日期：2018-09-17  实施日期：2019-06-01

GB 12964-1991

硅单晶抛光片

Monocrystalline silicon polished slices

DIN 50452-1-1995

半导体材料的检验.液体中粒子的分析方法.第1部分:显微镜测定粒子

Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 1: Microscopic determination of particles

适用范围：This method cover the determination of the concentration of particulate matter contamination from liquids isolated on a membrane filter by microscopic counting. The scope is limited to sizing particles...

DIN 50443-2-1994

半导体工艺材料检验;用X射线粘扑法证明半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性.Ⅲ-V-连接半导体

Testing of materials for semiconductor technology; recognition of defects and inhomogeneities in semiconductor single crystals by X-ray topography; III-V-semiconductor compounds

DIN 50451-3-2003

半导体工艺的材料检验 液体中痕量元素的测定 第3部分:用ICP-MS法测定硝酸中的铝、钴、铜、铁、钠、镍和锌

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 3: Al, Co, Cu, Na, Ni and Zn in nitric acid with ICP-MS

GB/T 8646-1998

半导体键合铝-1%硅细丝

Fine aluminium-1%silicon wire for semiconductor lead-bonding

实施日期：1999-02-01

NF EN 61788-2-2007

超导性.第2部分:临界电流测量.Nb3Sn 复合超导体的直流临界电流

Superconductivity - Part 2 : critical current measurement - DC critical current of Nb3Sn composite superconductors.

JIS H0601-1962

锗的电阻率测定方法

Testing methods of resistivity for germanium

GB 12965-1991

硅单晶切割片和研磨片

Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices

GB 11095-1989

霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片

Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices

GB/T 12965-1996

硅单晶切割片和研磨片

Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices

实施日期：1997-04-01

GB/T 25074-2017

太阳能级多晶硅

Solar-grade polycrystalline silicon

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。

发布日期：2017-11-01  实施日期：2018-05-01

DIN 50445-1992

半导体材料检验.电阻测量

Testing of materials for semiconductor technology; contactless determination of the electrical resistivity of semiconductor slices with the eddy current method; homogeneously doped semiconductor wafers...

T/JSAS 015-2021

单晶硅太阳能电池片

Monocrystalline silicon solar cells

发布日期：2021-09-25  实施日期：2021-09-25

GB/T 12963-2009

硅多晶

Specification for polycrystalline silicon

适用范围：本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

发布日期：2009-10-30  实施日期：2010-06-01

YS/T 290-1994

霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片

Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices ...

YS/T 1061-2015

改良西门子法多晶硅用硅芯

Silicon core for polysilicon by improved siemens method

适用范围：本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制...

发布日期：2015-04-30  实施日期：2015-10-01

YS/T 223-1996

硒

Selenium ...

实施日期：1996-12-01