Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe
适用范围：この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
适用范围：本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。Ω本文件适用于对品体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向...
发布日期：2022-03-09 实施日期：2022-10-01
Monocrystalline silicon etched wafers
适用范围：本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液...
发布日期：2016-07-11 实施日期：2017-01-01
Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers
适用范围：本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子擅变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大...
发布日期：2018-09-17 实施日期：2019-06-01
Carbon/carbon U shape heating element of hydrogenation furnace
适用范围：本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、 储存、质量证明书和订货单(或合同）内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。
发布日期：2014-10-14 实施日期：2015-04-01
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。
发布日期：2007-09-11 实施日期：2008-02-01
Metallographs collection for original defects of crystalline silicon
适用范围：本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。 本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种...
发布日期：2013-12-31 实施日期：2014-10-01
Silicon metal
适用范围：本标准规定了 工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单或合同内容。 本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅，主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。
发布日期：2008-03-31 实施日期：2008-09-01
Superconductivity - Part 2 : critical current measurement - DC critical current of Nb3Sn composite superconductors.
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
适用范围：1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
适用范围：本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单晶硅中含量为1×lO<up ll> at•cm <up -3>～5×10<up 15> at•cm <up -3>的各种电活性杂质元...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine
适用范围：本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200mm～450mm的硅电极及硅环。
发布日期：2022-07-11 实施日期：2023-02-01
Gallium phosphide single crystal
适用范围：本标准规定了非掺杂，掺S，掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化镓单晶材料（以下简称单晶）。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
适用范围：本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Cadmium telluride
适用范围：本标准规定了碲化镉的技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和安全提示。本标准对应的碲化镉是以5N碲和5N镉为原料以高温合成技术制成的，该产品主要用于红外以及可见光的发光装...
发布日期：2012-11-07 实施日期：2013-03-01
Standard Specification for Silicon Metal
适用范围：<p id="s00002">1.1 This specification covers several grades of silicon metal.</p> <p id="s00003">1.2 The values stated in inch-pound units are to be regarded as standard. The values given in parenthese...
实施日期：2005-05-01
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy
适用范围：1. 1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。1.3本标准适用于各...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning
适用范围：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50mm,厚度大于180μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
适用范围：本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10<up -3>Ω•m～10<up 4>Ω•m、位错密度在0cm<up -2>～10<up 5>cm<up -2>之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。本方法也适...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
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