SJ 50033/38-1994

半导体分立器件 ＣＳ４８５６～ＣＳ４８６１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 307-1972

半导体大功率及开关三极管特征频率的测试方法

SJ/T 10948-1996

电子元器件详细规范 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半导体红色发光二极管

Detail specification for electronic component--Semiconductor red light emiting diodes for types FG313052 FG314053 FG313054 and FG314055

实施日期：1997-01-01

JIS H7301-1997

超导体的试验方法－直流临界电流的试验方法－铜基,铌,钛合金复合超导体

Superconductivity -- Test method -- Part 1: Critical current -- Section 1: DC critical current of Cu/Nb-Ti composite superconductors

CNS 6137-1988

个别半导体元件之色码

Color Coding of Discrete Semiconductor Devices

发布日期：1980-08-13  实施日期：1988-01-07

SJ 1944-1981

２ＣＬ（２ＤＬ）３０－３３、２ＣＬ（２ＤＬ）４０～４３型高压硅堆

Detail specification for high voltage silicon rectifier stacks,Type 2CL30~33,2DL30~33,2CL40~43 and 2DL40~43 ...

实施日期：1982-07-01

SJ 1058-1976

３ＡＸ３１型ＰＮＰ锗合金低频小功率三极管

实施日期：1977-03-01

DIN 41881-2-1978

半导体器件; 要求和检验, 陶瓷绝缘的金属外壳

Semiconductor devices; metal cases with ceramic insulation, requirements and tests

适用范围：Semiconductor devices; metal cases with ceramic insulation; requirements and tests

IEC 62258-2-2005

半导体模产品 第2部分:交换数据格式

Semiconductor die products. Part 2:Exchange data formats

发布日期：2005-06-13  实施日期：2005-06-13

IEC 60749-38-2008

半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分:带存储器的半导体器件的软故障试验方法

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 38: Soft error test method for semiconductor devices with memory

适用范围：This part of IEC 60749 establishes a procedure for measuring the soft error susceptibility of semiconductor devices with memory when subjected to energetic particles such as alpha radiation. Two tests ...

发布日期：2008-02-12  实施日期：2008-02-12

SJ 2143-1982

３ＤＨ１～１３型硅稳流三极管

实施日期：1983-01-01

IEC 60749-31-2002

半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分:塑料密封器件的易燃性(内部感应)

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 31: Flammability of plastic-encapsulated devices (internally induced)

适用范围：Applicable to semiconductor devices (discrete devices and integrated circuits), this test determines whether the device ignites due to internal heating caused by excessive overloads. The contents of th...

发布日期：2002-08-30  实施日期：2002-08-30

IEC 60700-1-1998/Amd 2-2008

修订2:高压直流(HVDC)输电用晶闸管阀 第1部分:电气试验

Amendment 2:Thyristor valves for high voltage direct current (HVDC) power transmission. Part 1:Electrical testing

发布日期：2008-08-28  实施日期：2008-08-28

SJ 192-1965

硅整流二极管击穿电压的测试方法

实施日期：1965-11-17

CNS 5775-1980

半导体装置电性测量及额定规格之标准温度

Standard temperatures for electrical measurement and rating stecification-semiconductor devices

发布日期：1980-07-09  实施日期：1980-07-09

BS EN 60749-19-2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分:模剪切强度

Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Pruefverfahren. Pruefung der ChipBondfestigkeit Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 19:Die shear strength Dispositifs a se...

实施日期：2003-06-20

SJ 2361-1983

３ＣＤ１５７、３ＣＤ１５８、３ＣＤ３５７型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管

Detail specification for silicon PNP low frequency low voltage high power low frequency low voltage high power transistors,Type 3CD157,3CD158 and 3CD357 ...

实施日期：1984-03-01

SJ 2286-1983

３ＤＧ１４７型ＮＰＮ硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar superhigh frequency low noise low power transistors,Type 3DG147 ...

实施日期：1983-10-01

SJ 2294-1983

３ＤＧ１５６型ＮＰＮ硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar superhigh frequency low noise low power transistors,Type 3DG156 ...

实施日期：1983-10-01

NF C96-003-1986

电子元件 半导体装置 分立元件和集成电路 第三部分:信号二极管（包括开关）和稳压二极管

Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 3 : signal (including switching) and regulator diodes.

实施日期：1986-04-01