SJ 1950-1981

场效应半导体管栅极截止电流的测试方法

实施日期：1982-07-01

DIN IEC 60747-11-1992

半导体器件.第11部分:半导体器件分规范

Semiconductor devices; sectional specification for semiconductor devices; identical with IEC 60747-11:1985

DIN EN 150009-1993

整流二极管

Blank detail specification: case-rated rectifier diodes; German version EN 150009:1991

DIN EN 60749-16-2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分:部分冲击噪声检测(PIND)

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 16: Particle impact noise detection (PIND) (IEC 60749-16:2003)

实施日期：2003-09-01

ASTM F1192-2000(2006)

半导体器件重离子辐射感应产生的单个信号的测量指南

Standard Guide for the Measurement of Single Event Phenomena (SEP) Induced by Heavy Ion Irradiation of Semiconductor Devices

实施日期：2000-06-10

SJ 310-1972

半导体大功率三极管功率增益的测试方法

IEC 60749-2-2002

半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 2: Low air pressure

发布日期：2002-04-12  实施日期：2002-04-12

SJ 1995-1981

ＣＳ２５型Ｎ沟道结型场效应半导体对管

Detail specification for N channel junction pair field-effect transistors,Type CS25 ...

实施日期：1982-07-01

SJ 1061-1976

３ＡＸ８１型ＰＮＰ锗合金低频小功率三极管

实施日期：1965-11-17

SJ/T 10969-1996

电子元器件详细规范 3DG2636型硅NPN环境额定高频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG 2636

实施日期：1997-01-01

SJ/T 11400-2009

半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes

发布日期：2009-11-17  实施日期：2010-01-01

NF C86-613-1981(R2011)

电子元件。ＣＥＮＣＬＥＣ质量保证系统。特定外壳温度低频放大晶体二极管。特殊规范

Harmonised system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification : case-rated bipolar transistors for low frequency application.

SJ 2139-1982

硅稳流二极管动态阻抗的测试方法

Methods of measurement for dynamic impedance of silicon current regulator diodes ...

实施日期：1983-01-01

SJ 1057-1976

３ＡＧ５６型ＰＮＰ锗合金扩散高频小功率三极管

实施日期：1976-06-01

SJ 50033/34-1994

半导体分立器件 Ｆ１１２９型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH129 NPN silicon power Darlington transistor

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

CNS 9838-1988

可靠度保证双向三极闸流体检验法(保持电流)

Method of test for reliability assured bi-directional triode thyristors -- remanent current

发布日期：1983-01-12  实施日期：1988-12-15

GB/T 20871.61-2013

有机发光二极管显示器 第61部分：光学和光电参数测试方法

Organic light emitting diode (OLED) displays - Part 61: Measuring methods of optical and electro-optical parameters

发布日期：2013-12-17  实施日期：2014-05-15

IEC 61954-2011

输电和配电系统用电力电子设备 静态无功功率补偿器用晶闸管阀的试验

Static var compensators (SVC) - Testing of thyristor valves

发布日期：2011-04-21  实施日期：2011-04-21

DIN EN 60191-6-2005

半导体器件的机械标准化 第6部分:表面安装半导体器件包装的外形图制备总则

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6: General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages

实施日期：2005-04-01

GB 8558-1987

电子元器件详细规范 2CN31D型硅开关整流二极管