GB 9523-1988

电子元器件详细规范 QL62型硅单相桥式整流器(可供认证用)

实施日期：1989-02-01

IEC 61643-321-2001

低压电涌保护器的元件 第321部分:雪崩击穿二极管(ABD)规范

Components for low-voltage surge protective devices - Part 321: Specifications for avalanche breakdown diode (ABD)

发布日期：2001-12-04  实施日期：2001-12-04

SJ 1637-1980

３ＤＤ１５３型、３ＤＤ１５４型ＮＰＮ硅扩散台面低频大功率三极管

Detail specification for silicon NPN diffused mesa low-frequency high power transistors,Type 3DD153 and 3DD154 ...

实施日期：1981-06-01

SJ 1971-1981

场效应半导体对管栅源短路时漏极电流比的测试方法

实施日期：1982-07-01

SJ 50033.53-1994

半导体分立器件 ＣＳ０５３０、ＣＳ０５３１型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave power field effect transistor

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/28-1994

半导体分立器件 ２ＣＶ３３４、２ＣＶ３３３８型微带混频二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for stripline mixer diodes for 2CV334,2CV3338

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 935-1975

３ＤＤ１０１（１０２）型硅ＮＰＮ低频高反压大功率三极管

Detail specification for silicon NPN low frequency high power high reverse voltage transistors,Type 3DD101 and 3DD102 ...

实施日期：1976-06-01

SJ 1980-1981

Ｎ沟道结型场效应半导体管 ＣＳ７型高频场效应半导体管

Detail specification for high frequency field-effect transistors,Type CS7 ...

实施日期：1982-07-01

SJ/T 10976-1996

电子元器件详细规范 QL62型硅单相桥式整流器(可供认证用)

Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62 ...

实施日期：1997-01-01

SJ 50033/71-1995

半导体分立器件ＰＩＮ３４２型ＰＩＮ二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for Type PIN342 series for PIN diode

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ/T 11460.3.4-2019

液晶显示用背光组件 第3-4部分：车载用LED背光组件空白详细规范

Backlight units for liquid crystal displays. Part3-4:LED backlight unit for automotive applications. B1ank detail specification

发布日期：2019-11-11  实施日期：2020-04-01

SJ 1650-1980

３ＤＤ２５９型、３ＤＤ２６０型、３ＤＤ２６１型ＮＰＮ硅扩散台面低频大* 11

Detail specification for silicon NPN diffused mesa low-frequency high power transistors,Type 3DD259,3DD260 and 3DD261 ...

实施日期：1981-06-01

SJ 1842-1981

３ＣＫ１１０型ＰＮＰ硅外延平面小功率开关三极管

Detail specification for silicon PNP epitaxial planar low power switching transistors,Type 3CK110 ...

实施日期：1982-05-01

SJ 781-1974

３ＤＤ７３型ＮＰＮ硅外延平面低频大功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar low-frequency high power transistors,Type 3DD73 ...

实施日期：1974-10-01

SJ 802-1974

３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅外延平面高频小功率高反压三极管

实施日期：1974-10-01

SJ 968-1975

硅开关二极管反向恢复时间的测试方法

实施日期：1976-06-01

SJ 20056-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０３型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK103

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 3123-1988

电子元器件详细规范 ３ＤＧ１７７９型高频放大型额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Ambient-rated bipolar transistors for high frequency amplification,Type 3DG1779 ...

实施日期：1988-12-01

SJ 909-1974

２ＣＷ５０～１４９型硅半导体稳压二极管

Detail specification for silicon voltage regulator diodes,Type 2CW50~149 ...

实施日期：1975-10-01

T/SBX 026-2019

液晶单体熔点的测定 差示扫描量热法

发布日期：2019-12-24  实施日期：2020-02-01