IEC TR 62258-7-2007

半导体模产品 第7部分:数据交换用XML计划

Semiconductor die products - Part 7: XML schema for data exchange

适用范围：This technical report has been developed to facilitate the production, supply and use of semiconductor die products, including: wafers, singulated bare die, die and wafers attached connection structure...

发布日期：2007-08-23  实施日期：2007-08-23

SJ 767-1974

３ＤＤ５３和３ＤＤ５４型ＮＰＮ硅外延平面低频大功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar low-frequency high power transistors,Type 3DD53 and 3DD54 ...

实施日期：1974-10-01

SJ 185-1965

硅稳压二极管动态电阻的测试方法

实施日期：1965-11-17

GB/T 4799-1984

气体激光器型号命名方法

The denominating method of type for gas lasers

SJ/T 11460.3.1-2014

液晶显示用背光组件 第3-1部分： 便携式显示用LED背光组件空白详细规范

Backlight units for liquid crystal displays-Part 3-1:LED backlight unit for portable display-Blank detail specification

适用范围：本部分规定了便携式显示用LED背光组件的技术要求、质量评定程序、检验和试验方法、包装、运输和储存的空白详细要求。 本部分适用于便携式显示用LED背光组件（以下简称“组件”）。

发布日期：2014-10-14  实施日期：2015-04-01

SJ 1847-1981

３ＤＫ１２１型ＰＮＰ硅外延平面小功率开关三极管

Detail specification for silicon PNP epitaxial planar low power switching transistors,Type 3CK121 ...

实施日期：1982-05-01

IEC 62258-1-2005

半导体模产品 第1部分:采购和使用的要求

Semiconductor die products Part 1:Requirements for procurement and use First Edition

发布日期：2005-08-30  实施日期：2005-08-01

SJ 1812-1981

硅普通变容二极管优值（ＱＶ值）的测试方法

实施日期：1982-01-01

DIN EN 150013-1996

空白详细规范:电流调节器和电流参考二极管

Blank detail specification - Current regulator and current reference diodes; German version EN 150013:1991

GB 4023-1986

半导体分立器件 第2部分:整流二极管

实施日期：1987-06-30

SJ 2102-1982

ＣＳ４５型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

Detail specification for N channel junction field-effect low power switching transistors,Type CS45 ...

实施日期：1982-12-01

CNS 6802-1980

半导体逻辑闸微电路杂讯界限之测试程序

Standard Test Procedured for Noise Margin Measurements for Semiconductor Logic Gating Microcircuits

发布日期：1980-12-30  实施日期：1980-12-30

SJ 2278-1983

３ＤＧ７２型ＮＰＮ硅外延平面超高频小功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar superhigh frequency low power transistors,Type 3DG72 ...

实施日期：1983-10-01

CNS 4330-1978

电晶体符号

The symbol of transistors

发布日期：1978-03-21  实施日期：1978-03-21

SJ 20054-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０１型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK101

适用范围：本规范规定了3DK101型NPN硅小功率开关晶体管的详细要求。每种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、和GCT级)。

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

T/CES 085-2021

压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范

Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules

发布日期：2021-09-28  实施日期：2021-09-30