Determination of iron,aluminium and calcium for export silicon metal-Volumetric method
适用范围：本标准规定了用EDTA容量法测定铁、铝、钙含量的方法。本标准适用于出口金属硅中铁、铝、钙含量的测定。测定范围0.l%～1.5%。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1996-12-01
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
适用范围：本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、 硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(A1)、砷(A...
发布日期：2016-04-25 实施日期：2016-11-01
Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors
适用范围：本标准规定了空间红外探测器用啼锡汞（ HgCdTe ）外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。
发布日期：2013-12-17 实施日期：2014-05-15
Hygienic specifications of meat packing plant
适用范围：本规范规定了肉类加工厂的设计与设施、卫生管理、加工工艺、成品贮藏和运输的卫生要求。本规范适用于屠宰猪、牛、羊和生产分割肉与肉制品的工厂。本规范中“加工过程中的卫生”暂以猪为主，牛、羊部分将另行制定国家标准。
发布日期：1990-11-07 实施日期：1991-10-01
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
适用范围：本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Gallium arsenide single crystal
适用范围：本标准规定了砷化镓单晶的产品分类，技术要求，试验方法，检验规则和标志，包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件，微波器件，集成电路，传感元件和窗口材料等的制作。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Annealed monocrystalline silicon wafers
适用范围：本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 n...
发布日期：2022-03-09 实施日期：2022-10-01
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
适用范围：本标准规定了水平法砷化嫁单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于水平法制备的砷化锌单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-03-01
Supraleitfaehigkeit. Messung der Wechselstromverluste. Messung der gesamten Wechselstromverluste von Cu/NbTi-Verbundsupraleiterdraehten in transversalen magnetischen Wechselfeldern mit Hilfe eines Pick...
实施日期：2003-11-12
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of the geometric dimensions of semiconductor wafers - Part 2: Testing of edge profile
Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell
适用范围：本标准规定了太阳能电池用砷化稼单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化稼单晶抛光片(以下简称砷化稼抛光片)。
发布日期：2017-12-29 实施日期：2018-07-01
Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
适用范围：本标准规定了a角的测量方法，a角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB／T 12964和GB／T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5º到+5º范围之内。 由本标准测定...
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴ compounds for solar cell
适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片(以下简称"外延片")的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片。
发布日期：2017-12-29 实施日期：2018-07-01
Specification for alphanumeric marking of silicon wafers
适用范围：本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范，包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。 本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。 注:字母数字标志及...
发布日期：2017-10-14 实施日期：2018-07-01
请选择需要导出的字段：
请选择需要导出的字段：
知识产权声明 | 服务承诺 | 联系我们 | 客户服务 | 关于我们
互联网出版许可证：新出网证(京)字042号 互联网药品信息服务资格证书号：(京)-经营性-2011-0017 信息网络传播视听节目许可证 许可证号：0108284
万方数据标准管理系统V1.0 证书号:软著登字第4252816号
京ICP证：010071 京公网安备11010802020237号 京ICP备08100800号-1
客服电话：4000115888 客服邮箱：service@wanfangdata.com.cn 违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn 举报专区：https://www.12377.cn
万方数据知识服务平台--国家科技支撑计划资助项目（编号：2006BAH03B01）©北京万方数据股份有限公司 万方数据电子出版社
