SJ/Z 9011.1-1987

光敏器件的测试 第１部分：总则

Measurement of photosensitive devices--Part 1: Basic recommendations

适用范围：本标准包括应用于所有类型的光敏器件的定义和通用测试方法，包括： ——真空光电管； ——充气光电管； ——光电导管(多晶的)； ——光生状打管； ——光电倍增管； 本标准内不包括摄像管。 注：同样定义和校正方法...

发布日期：1987-09-14  实施日期：1987-09-14

SJ/Z 9011.3-1987

光敏器件的测试 第３部分：用于可见光谱的光电导管的测试方法

Measurement of photosensitive devices--Part 3: Methods of measurement for photoconductive cells for use in the visible spectrum

适用范围：本标准叙述用于可见光谱的光电导管的测试方法。

发布日期：1987-09-14  实施日期：1987-09-14

SJ 2216-1982

硅光敏二极管

Silicon photodiodes

实施日期：1983-07-01

SJ/T 9568-1995

可见光光敏器件质量分等标准

实施日期：1996-01-01

SJ 2217-1982

硅光敏三极管

Silicon phototransistors

实施日期：1983-07-01

SJ/T 2217-1982

SJ 50923/2-1995

Ｇ２－０１Ｂ－Ｍ１型和Ｇ２－０１Ｂ－Ｚ１型半导体光敏器件金属外壳详细规范

Detail specification for Type G2-01B-M1,G2-01B-Z1 metal case for semiconductor photosensitive devices

适用范围：本规范规定了G2-01B-M1、G2-01B-Z1型半导体光敏器件金属外壳(以下简称外壳)的详细要求。外形代号按附录A光电子器件金属封装外壳命名方法(参考件)确定的。本规范适用于G2-01B-M1,G2-01B-Z1型及同等结构的探测发光和光敏器...

发布日期：1996-06-14  实施日期：1996-10-01