IEC 60747-5-3-1997

半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法

Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-3: Optoelectronic devices - Measuring methods

发布日期：1997-09-05  实施日期：1997-09-05

IEC 60747-8-4-2004

半导体分立器件 第8-4部分:功率切换用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)

Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications

发布日期：2004-09-24  实施日期：2004-09-24

SJ 50033/161-2002

半导体分立器件 2CW210～251型硅电压调整二极管详细规范

Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon voltage-regulator diode for type 2CW210~251

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ 50033/117-1997

半导体分立器件 ２ＣＫ３８型硅大电流开关二极管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CK38 silicon large current switch diode

发布日期：1906-06-08  实施日期：1997-10-01

IEC 62137-1-5-2009

表面安装技术 表面安装焊缝的环境和耐久性试验方法 第1-5部分:机械剪切疲劳试验

Surface mounting technology - Environmental and endurance test methods for surface mount solder joints - Part 1-5: Mechanical shear fatigue test

发布日期：2009-02-11  实施日期：2009-02-11

DIN EN 62007-1-2009

纤维光学系统用半导体光电子器件 第1部分:基本额定值和特性用规范模板

Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications - Part 1: Specification template for essential ratings and characteristics

实施日期：2009-08-01

BS IEC 60747-9-2007

分立半导体器件和集成电路.隔离栅二极晶体管(IGBTs)

Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) Semiconductor devices. Discrete devices. Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) Dispositi...

实施日期：2007-11-30

DIN EN 61188-5-2-2004

印刷电路板和印制电路板组件 设计和使用 第5-2部分:安装考虑(连接面/接头) 分立件

Printed boards and printed board assemblies - Design and use - Part 5-2: Attachment (land/joint) considerations - Discrete components

实施日期：2004-05-01

IEC/TS 62668-1-2012

航空电子设备的过程管理 仿造保护 第1部分:避免使用仿造,欺诈和回收的电子元器件组件

Process management for avionics. Counterfeit prevention. Part 1:Avoiding the use of counterfeit,fraudulent and recycled electronic components

实施日期：2012-05-01

SJ 20063-1992

半导体分立器件 3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise dual-difference match transistor of Type 3DG213

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

DIN IEC 60747-2-2001

半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管

Semiconductor devices; discrete devices and integrated circuits; rectifier diodes;

SJ 20308-1993

半导体分立器件 ＦＨ１０２５型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Detail specification for Type FH1025 NPN silicon power Darlington transistor

发布日期：1993-05-11  实施日期：1993-07-01

SJ 50033/129-1997

半导体分立器件3DD155型低频大功率晶体管详细规范

Scmiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD155 low-frequency and high-power transistor

发布日期：1997-06-17  实施日期：1997-10-01

SJ 20068-1992

半导体分立器件 2DW14-18型低噪声硅电压基准二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for Type 2DW14～18

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 50033/66-1995

半导体分立器件３ＤＤ８８０型低频大功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DD880 low-frequency and high-power transistor

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 50033.50-1994

半导体分立器件 ＱＬ７３型硅三相桥式整流器详细规范

Semiconductor discrete device Detail specification for type QL73 silicon three phase full wave bridge rectifier

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/154-2002

半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ 50033/6-1994

半导体分立器件 ＧＰ和ＧＴ级４１１型半导体绿色发光二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for semiconductor green light emitting diodes for type GF411 of GP and GT classes

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

IEC 60747-7-2010

半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors

发布日期：2010-12-16  实施日期：2010-12-16

SJ 50033/100-1995

半导体分立器件２ＣＪ６０型阶跃恢复二极管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CJ60 step recovery diodes

发布日期：1996-06-14  实施日期：1996-10-01