Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG142 silicon UHF low-noise transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete devices Detail ecificion for silicon switching diode for type 2CK84
适用范围：本规范规定了2CK84型硅开关二极管详细要求，该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1993-05-11 实施日期：1993-07-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon rectifier diodes for Types 2CZ5550 through 2CZ5554
适用范围：本规范规定了2CZ5550～5554 型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS4091~CS4093 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
适用范围：本规范规定了3DK207A～I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP,GT and GCT classes
适用范围：本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-02-01 实施日期：1992-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for GaAs varactor diodes for 2EC600 series
适用范围：本规范规定了2EC600系列砷化镓变容二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG252 sillcon microwave linearity transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Construction dimensions for package parts of discrete semiconductor devices ...
实施日期：1988-10-01
适用范围：本规范规定了电源设备用的QL74型硅单相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK39 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK39型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DA331 silicon microwave power transistor
适用范围：本规范规定了3DA331型硅微波功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Type 3CT107
适用范围：本规范规定了3CT107型反向阻断闸流晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise dual-difference match transistor of Type 3DG213
适用范围：本规范规定了3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ117 silicon rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ117型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2DV8CP silicon microwave detector diode
适用范围：本规范规定了2DV8CP型硅微波检波二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail ecification for type 3DA601 C band silicon bipolar power tra istor
适用范围：本规范规定了3DA601型C波段硅双极型功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：2000-10-20 实施日期：2000-10-20
Discrete semiconductor devices--Detail specification for base and cap of low power transistors ...
实施日期：1988-10-01
Letter symbols for discrete semiconductor devices
发布日期：1996-11-20 实施日期：1997-01-01
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