Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CK85 silicon switching diode
适用范围：本规范规定了2CK85型硅开关二级管(以下简称器件）的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switch-rectifier diode for type 2CZ73
适用范围：本规范规定了2CZ73型硅开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD260 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3DD260型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Detail specification for Type 3DK10 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK10～D、3DK10G～H型NPN硅功率开关～晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。
发布日期：1993-05-11 实施日期：1993-07-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack
适用范围：本规范规定了2CL3型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3DD155 power transistor
适用范围：本规范规定了3DD155型功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3DA150 high frequency and power transistor
适用范围：本规范规定了3DA150型高频功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH121 NPN silicon power Darlington transistor
适用范围：本规范规定了FH121型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Discrete semiconductor devices--Detail specification for base and cap of low power transistors ...
实施日期：1988-10-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS4091~CS4093 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621,2EY622,2EY623
适用范围：1.1主题内容本规范规定了2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1 器件的等级按GJB33-85(半导体...
发布日期：1996-08-30 实施日期：1997-01-01
Semiconductor discrete device Detail specification of type 2CW1022 for silicon bidirectional voltage regulator diodes
适用范围：本规范规定了2CW1022型硅双向电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：2003-12-15 实施日期：2004-03-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
适用范围：本规范规定了3DK308A～G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0532 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0464 GaAs microwave FET
适用范围：本规范规定了3CG2605, 3CG2605UB型硅PNP高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制·生产和使用。
发布日期：2018-01-18 实施日期：2018-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for semiconductor red light emitting diodes for type GF111 of GP and GT classes
适用范围：本规范规定了GF 111型半导体红色发光二极管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的二个等级(GP和GT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for types 2CJ4011,2CJ4012,2CJ4021 and 2CJ4022 step recovery diodes
适用范围：本规范规定了2CJ4011、2CJ4012、2CJ4021、2CJ4022型阶跃恢复二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1996-06-14 实施日期：1996-10-01
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