Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Type 3CT103
适用范围：本规程规定了3CT103型反向阻断闸流晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分离器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ59型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Quality grading standard ...
实施日期：1993-11-01
Semiconductor discrete devices Detail ecification for types 2CW50~78 gla pa ivation package Silicon voltage-regulator diodes
适用范围：本规范规定了2CW50～78(原企业型号为BWA50～78)型玻璃纯化封装硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1999-11-10 实施日期：1999-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS6760 and CS6762 silicon N-channel enhacement mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS6760和CS6762型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type PIN35 series for PIN diode
适用范围：本规范规定了PIN35系列PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DK100 NPN silicon low-power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK100型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CK28 silicon large current switch diode
适用范围：本规范规定了2CK28型硅大电流开关二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
适用范围：本规范规定了3DK308A～G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for field-effect transistor of Types CS3821,3822,3823
适用范围：本规范规定了CS3821、CS3822和CS3823型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Scmiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD155 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3DD155A～F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switch-rectifier diode for type 2CZ75
适用范围：本规范规定了2CZ75型硅开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS5114~CS5116 silicon P-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 2CW1001~2CW1005 silicon voltage-regulator diode
适用范围：本规范规定了2CW1001～2CW1005型硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discreted devices Detail specification for type CS0558 GaAs microwave dual gate FET
适用范围：本规范规定了CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管〈以下简称器件〉的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semicondutor discrete device Detail specification for silicon PIN diodes for type PIN11￣15
适用范围：本规范规定了PIN11～15型硅PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CWl3016～3051
适用范围：本规程规定了2CW3016～3051型硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3DD164 power transistor
适用范围：本规范规定了3DD164型功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
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