适用范围:本规范规定了3DK308A~G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期:1994-09-30 实施日期:1994-12-01
适用范围:本规范规定了3DK206A~I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期:1994-09-30 实施日期:1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围:本规范规定了CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期:1994-09-30 实施日期:1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS4091~CS4093 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围:本规范规定了CS4091~CS4093型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1995-05-25 实施日期:1995-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA505 silicon microwave pulse power transistor
发布日期:2002-10-30 实施日期:2003-03-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS205 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围:本规范规定了CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1906-06-08 实施日期:1997-10-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS6760 and CS6762 silicon N-channel enhacement mode field-effect transistor
适用范围:本规范规定了CS6760和CS6762型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1995-05-25 实施日期:1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type CS0467 GaAs microwave FET
适用范围:本规范规定了CS0467型砷化镓微波场效应晶本管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1994-09-30 实施日期:1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0536 GaAs microwave power FET
适用范围:本规范规定了CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1995-05-25 实施日期:1995-12-01
Discrete semiconductor devices--Detail specification for thread-hexagonal base and cap ...
实施日期:1988-10-01
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