Semiconductor discrete device--Detail specification for semiconductor opto-couplers for Type GH24,GH25 and GH26
适用范围：本规范规定了陶瓷封装的GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device Detail specification for step recovery diodes for 2CJ4220 series
适用范围：本规范规定了2CJ4220系列阶跃二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS204 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device. Detail specification for low-noise silicon voltage-regulator diodes for types 2DW14~18
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CZ10silicon switching rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ10B～J型硅开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DK106 NPN silicon low-power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK106型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type PIN0002 PIN diode
适用范围：本规范规定了PIN0002型PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：2003-12-15 实施日期：2004-03-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CD010 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3CD010B～F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研究、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switching diode for Type 2CK105
适用范围：本规范规定了2CK105型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CWl3016～3051
适用范围：本规程规定了2CW3016～3051型硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon voltage-regulator diode for type 2DW230~236
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2CK29 silicon large current switch diode
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG122 silicon UHF low-power transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH129 NPN silicon power Darlington transistor
适用范围：本规范规定了FH129型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0513 GaAs microwave power FET
适用范围：本规范规定了CD0513型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
适用范围：本规范规定了3DK210A～I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
适用范围：本规范规定了3DG 182型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-02-01 实施日期：1992-05-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA507 silicon microwave pulse power transistor
发布日期：2004-08-02 实施日期：2004-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
请选择需要导出的字段：
请选择需要导出的字段：
知识产权声明 | 服务承诺 | 联系我们 | 客户服务 | 关于我们
互联网出版许可证：新出网证(京)字042号 互联网药品信息服务资格证书号：(京)-经营性-2011-0017 信息网络传播视听节目许可证 许可证号：0108284
万方数据标准管理系统V1.0 证书号:软著登字第4252816号
京ICP证：010071 京公网安备11010802020237号 京ICP备08100800号-1
客服电话：4000115888 客服邮箱：service@wanfangdata.com.cn 违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn 举报专区：https://www.12377.cn
万方数据知识服务平台--国家科技支撑计划资助项目（编号：2006BAH03B01）©北京万方数据股份有限公司 万方数据电子出版社
