Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS140 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise dual-difference match transistor of Type 3DG213
适用范围：本规范规定了3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
适用范围：本规范规定了3DK310A～G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Mechanical and climatic test methods for semiconductor devices
发布日期：1995-12-22 实施日期：1996-08-01
Semiconductor discrete devices Detail ecification for type 2EK150 GaAs high eed switching diode
适用范围：本规范规定了2EK150型砷化镓高速开关二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1999-11-10 实施日期：1999-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for silican power PIN diodes for type PIN62317
适用范围：本规范规定了PIN62317型硅PIN大功率二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
Mechanical and climatic test methods for discrete semiconductor devices
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK12 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DKl2B~F型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Detail specification for Type FH181A NPN silicon power Darlington transistor
适用范围：本规范规定了FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。
发布日期：1993-05-11 实施日期：1993-07-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS5114~CS5116 silicon P-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CW2970～3015
适用范围：本规范规定了2CW2970～3015型的B型(标准极性)、RB型(反极性)硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for semiconductor red light emitting diodes for type GF111 of GP and GT classes
适用范围：本规范规定了GF 111型半导体红色发光二极管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的二个等级(GP和GT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
适用范围：本规范规定了3DK307A～G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0464 GaAs microwave FET
适用范围：本规范规定了3CG2605, 3CG2605UB型硅PNP高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制·生产和使用。
发布日期：2018-01-18 实施日期：2018-05-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for stripline mixer diodes for 2CV334,2CV3338
适用范围：本规范规定了2CV334,2CV3338型微带混频二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD159 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3DD159A～G型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Detail specification for Type FH646 NPN silicon power Darlington transistor
适用范围：本规范规定了FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。
发布日期：1993-05-11 实施日期：1993-07-01
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