适用范围：本规范规定了3DK208A～I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DK002 power switching transistor
适用范围：1.1主题内容本规范规定了3DK002型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)...
发布日期：1996-08-30 实施日期：1997-01-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA89 high-frequency power transistor
适用范围：1.1主题内容本规范规定了3DA89 B、C、L 型NPN硅高频功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级按 GJB 33(半导体分...
发布日期：1996-08-30 实施日期：1997-01-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor
适用范围：本规范规定了CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK39 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK39型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS6768 and CS6770 silicon N-channel enhancement mode field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS6768和CS6770型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type SY5629~5665A tramsient voltage suppression diodes
适用范围：本规范规定了SY5629～5665A型瞬态电压抑制二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918
适用范围：本规范规定了3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switching diode for Type 2CK76
适用范围：本规范规定了2CK76型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3DA150 high frequency and power transistor
适用范围：本规范规定了3DA150型高频功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CK82 silicon switching diode
适用范围：本规范规定了2CK82型硅开关二级管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail ecification for type 3DA601 C band silicon bipolar power tra istor
适用范围：本规范规定了3DA601型C波段硅双极型功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：2000-10-20 实施日期：2000-10-20
Semiconductor discrete devices Detail specification for Type 3DG216 NPN silicon low-power difference matched-pair transistor
适用范围：本规范规定了3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1996-06-14 实施日期：1996-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switching diode for Type 2CK4148
适用范围：本规范规定了2CK4148型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG144 NPN silicon high-frequency Low-noise Low-power transistor
适用范围：本规范规定了3DG144型NPN硅高频低噪声小功率品体管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1996-06-14 实施日期：1996-10-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for types 2CJ4011,2CJ4012,2CJ4021 and 2CJ4022 step recovery diodes
适用范围：本规范规定了2CJ4011、2CJ4012、2CJ4021、2CJ4022型阶跃恢复二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1996-06-14 实施日期：1996-10-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3458~CS3460 silicon N-channel junction mode field-effect transistors
适用范围：本规范规定了CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
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