Semiconductor devices--Discrete devices and integraged circuits--Part 6: Thyristors ...
实施日期：1987-09-14
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3CK2904,3CK2904A,3CK2905 and 3CK2905A PNP silicon low-power switching transistor
适用范围：本规范规定了3CK2904、3CK2904A、3CK2905和3CK2905A型PNP硅小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack
适用范围：本规范规定了2CL3型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621,2EY622,2EY623
适用范围：1.1主题内容本规范规定了2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1 器件的等级按GJB33-85(半导体...
发布日期：1996-08-30 实施日期：1997-01-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switch-rectifier diode for type 2CZ75
适用范围：本规范规定了2CZ75型硅开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD157 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3DD157型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Discrete semiconductor devices--Detail specification for base and cap of low power transistors ...
实施日期：1988-10-01
Letter symbols for discrete semiconductor devices
发布日期：1996-11-20 实施日期：1997-01-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon voltage reference diodes for Types 2DW232～236
适用范围：本规范规定了2DW232～2DW236型硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求,该器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor dicrete device--Detail specification for type 2CZ105 silicon switching rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ105型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120
适用范围：本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for GaAs high-speed switching assembly for type EK20
适用范围：本规范规定了EK20型砷化镓高速开关组件(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG142 silicon UHF low-noise transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon voltage-regulator diode for type 2CW210~251
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete devices Detail ecification for type 2CW100～121 gla pa ivation package silicon voltage-requlator diodes
适用范围：本规范规定了2CW100～121型玻璃纯化封装硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：2000-10-20 实施日期：2000-10-20
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CK38 silicon large current switch diode
适用范围：本规范规定了2CK38型硅大电流开关二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type QL72 silicon three phase full wave bridge rectifier
适用范围：本规范规定了电源设备用的QL72型硅三相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2DK13 SCHOTTKY ailicon switching rectifier diode
适用范围：本规范规定了2DK13型硅肖特基开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type QL71 silicon single phase full wave bridge rectifier
适用范围：本规范规定了电源设备用的QL71型硅单相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
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