Detail specification for Type 3DK10 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK10～D、3DK10G～H型NPN硅功率开关～晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。
发布日期：1993-05-11 实施日期：1993-07-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CK85 silicon switching diode
适用范围：本规范规定了2CK85型硅开关二级管(以下简称器件）的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2DK14 SCHOTTKY silicon switching rectifier diode
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type PIN342 series for PIN diode
适用范围：本规范规定了PIN342型PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH101 NPN silicon power Darlington transistor
适用范围：本规范规定了FH101型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
适用范围：本规范规定了3DK306A～G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440
适用范围：本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS146
适用范围：本规范规定了CS146型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Graphic base of electronic components graphics of semiconductor discrete device
适用范围：本标准规定了计算机辅助设计印制板(PCB)用电子元器件图形库中的半导体分立器件图形设计规范。 本标准适用于计算机辅助设计印制板。 手工设计印制板也可参照采用。
发布日期：1991-05-27 实施日期：1991-12-01
Semiconductor discrete device. Detail specification of type 3DK457 for power switching transistors
发布日期：2003-12-15 实施日期：2004-03-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon tuning varactor diode for type 2CC51E
适用范围：本规范规定了2CC51E型硅电调变容二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于的器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DA325 silicon microwave power transistor
适用范围：本规范规定了3DA325型硅微波功率晶体管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CJ60 step recovery diodes
适用范围：1.1主题内容本规范规定了2CJ60型阶跃恢复二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)第...
发布日期：1996-06-14 实施日期：1996-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3DK312 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK312型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ117 silicon rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ117型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2DV8CP silicon microwave detector diode
适用范围：本规范规定了2DV8CP型硅微波检波二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
适用范围：本规范规定了3DK309A～G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG44 silicon UHF low-noise transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2EK31 GaAs switching diode
适用范围：本规范规定了2EK31型砷化镓开关二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
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