Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes
适用范围：本规范规定了CS4型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-02-01 实施日期：1992-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3DK312 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK312型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CJ60 step recovery diodes
适用范围：1.1主题内容本规范规定了2CJ60型阶跃恢复二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)第...
发布日期：1996-06-14 实施日期：1996-10-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG142 silicon UHF low-noise transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete devices Detail ecificion for silicon switching diode for type 2CK84
适用范围：本规范规定了2CK84型硅开关二极管详细要求，该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1993-05-11 实施日期：1993-07-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CK38 power switching transistor
适用范围：本规程规定了3CK38B～H型功率开关晶体管的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918
适用范围：本规范规定了3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DA325 silicon microwave power transistor
适用范围：本规范规定了3DA325型硅微波功率晶体管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS10 GP,GT and GCT classes
适用范围：本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提使产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。
发布日期：1992-02-01 实施日期：1992-05-01
Semiconductor discrete device Detail specification for step recovery diodes for 2CJ4220 series
适用范围：本规范规定了2CJ4220系列阶跃二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type PIN0003 PIN diode
适用范围：本规范规定了PIN0003型PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：2003-12-15 实施日期：2004-03-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type QL73 silicon three phase full wave bridge rectifier
适用范围：本规范规定了QL73型硅三相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2DK15 SCHOTTKY silicon switching rectifier diode
适用范围：本规范规定了2DK15型硅肖特基开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
适用范围：本规范规定了电源设备用的QL74型硅单相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
适用范围：本规范规定了3DK207A～I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 2CW1006~2CW1015 silicon voltage-regulator diode
适用范围：本规范规定了2CW1006～2CW1015型硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Detail specification for Type 3DK10 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK10～D、3DK10G～H型NPN硅功率开关～晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。
发布日期：1993-05-11 实施日期：1993-07-01
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