Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CW2970～3015
适用范围：本规范规定了2CW2970～3015型的B型(标准极性)、RB型(反极性)硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3CD050 power transistor
适用范围：本规范规定了3CD050型功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DG218 silicon microwave low-noise transistor
适用范围：本规范规定了3DG218型硅微波低噪声晶体管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK40 power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK40型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DK404 power switching transistor
适用范围：1.1主题内容本规范规定了3DK404型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)...
发布日期：1996-08-30 实施日期：1997-01-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH121 NPN silicon power Darlington transistor
适用范围：本规范规定了FH121型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Discrete semiconductor devices--Detail specfication for base and cap of high power transistors ...
实施日期：1988-10-01
Semiconductor discrete device Detail specification for silicon power PIN diodes for type PIN 101～105
适用范围：本规范规定了PIN101～105型硅PIN大功率二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 3DA150 high frequency and power transistor
适用范围：本规范规定了3DA150型高频功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2CK140 microwave switch diode
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY5671,2EY5672
适用范围：1.1主题内容本规范规定了2EY5671、2EY5672型体效应二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1 器件的等级按GJB 33-85(半导体分立...
发布日期：1996-08-30 实施日期：1997-01-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2DK13 SCHOTTKY ailicon switching rectifier diode
适用范围：本规范规定了2DK13型硅肖特基开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0524 GaAs microwave power FET
适用范围：本规范规定了CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ58 silicon rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ58型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2CK141 microwave switch diode
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS205 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for types 2CJ4211 and 2CJ4212 step recovery diodes
适用范围：本规范规定了2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1996-06-14 实施日期：1996-10-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3458~CS3460 silicon N-channel junction mode field-effect transistors
适用范围：本规范规定了CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG252 sillcon microwave linearity transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Mechanical and climatic test methods for discrete semiconductor devices
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