BS QC 750114-1996

Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Feldeffekttransistoren. Vordruck fuer Bauartspezifikationen fuer gehaeusebezogene Feldeffekttransistoren fuer Schaltanwendungen Harmonized System of Quality Assessment for Electronic Components Semiconductor Devices-Discrete Devices-Field-Effect Transistors-Blank Detail Specification for Case-Rated Field-Effect Transistors for Switching Applications Dispositifs a semiconducteurs. Dispositifs discrets. Transistors a effet de champ. Specificatio

实施日期：1996-12-15

GB 10278-1988

电子元器件详细规范 CS422OA 型单栅N沟结型场效应晶体管(可供认证用)

实施日期：1989-07-31

DIN 55659-2-2012

Paints and varnishes. Determination of pH value. Part 2:pH-electrodes with ISFET technology

实施日期：2012-08-01

CNS 8106-1981

金属氧化物半导体场效电晶体饱和临界电压测试法

Method for Measuring MOSFET Saturated Threshold Voltage

发布日期：1981-11-23  实施日期：1981-11-23

IEC 62373-2006

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏离温度稳定性试验

Bias-temperature stability test for metal-oxide,semiconductor,field-effect transistors (MOSFET) Essai de stabilit?de température en polarisation pour transistors. effet de champ métal-oxydesemiconducte...

适用范围：This International Standard provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability testof metal-oxide semiconductor, field-effect transistors (MOSFET).

实施日期：2006-07-01

BS EN 62417-2010

Halbleiterbauelemente. Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) Semiconductor devices. Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) Dispositifs. semiconducteurs. Essais d'ions mobiles pour transistors. semiconducteur. oxyde métallique. effet de champ (MOSFET)

实施日期：2010-06-30

NF C96-008-1985

电子元件 半导体装置 分立元件和集成电路 第八部分:场效应晶体管

Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 8 : field-effect transistors.

实施日期：1985-09-01

SJ 20231-1993

国洋双栅场效应晶体管Ｙfs测试仪检定规程

Verification regulation of KDK double gate FET Yfs tester

发布日期：1993-02-09  实施日期：1993-05-01

SJ 20232-1993

国洋双栅场效应晶体管Ｇp参数测试仪检定规程

Verification regulation of KDK double gate FET Gp tester

发布日期：1993-02-09  实施日期：1993-05-01

CNS 6131-1986

可靠度保证场效电晶体

Reliability assured field-effect transistors

发布日期：1980-08-13  实施日期：1986-10-24

GB/T 15449-1995

管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范

Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated switching application

适用范围：本空白详细规范规定了制订管壳额定开关用场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

发布日期：1995-01-05  实施日期：1995-08-01

SJ 2748-1987

微波低噪声单栅场效应管空白详细规范

实施日期：1987-10-01

GB/T 15450-1995

硅双栅场效应晶体管 空白详细规范

Blank detail specification for silicon dual-qute field-effect transistors

实施日期：1995-08-01

GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors

适用范围：本标准给出了下列类型场效应晶体管的标准:　　——A型:结栅型；　　——B型:绝缘栅耗尽型；　　——C型:绝缘栅增强型。

发布日期：1994-12-30  实施日期：1996-08-01

BS IEC 60747-8-4-2004

半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管

Discrete semiconductor devices Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications) Dispositifs discrets a semiconducteurs. Transistors a semiconducte...

适用范围：Gives details for the following categories of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with inverse diodes: type B depletion (normally on) type and Type C enhancement (normally off)...

实施日期：2004-11-09

BS EN 62373-2006

Stabilitaetspruefung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung fuer Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) Bias-temperature stability test for metal-oxide,semiconductor,field-effect transistors (MOSFET) Essai de stabilite de temperature en polarisation pour transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteur (MOSFET)

实施日期：2006-09-29

NF C80-203-2010

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs).

IEC 60747-4-2007

半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

适用范围：Provides requirements for the following categories of discrete devices: variable capacitance diodes and snap-off diodes, mixer diodes and detector diodes, avalanche diodes, gunn diodes,bipolar transist...

发布日期：2007-08-23  实施日期：2007-08-23

JIS C7030-1993

晶体管的测定方法

Measuring methods for transistors

QJ 2617-1994

微波场效应晶体管(微波FET)管壳验收规范

发布日期：1994-03-26  实施日期：1994-10-01