GB/T 30110-2013

空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法

Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors

适用范围：本标准规定了空间红外探测器用啼锡汞（ HgCdTe ）外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。

发布日期：2013-12-17  实施日期：2014-05-15

GB/T 11068-2006

砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method

适用范围：本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×10^14cm^-3～5×10^17cm^-3。

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 14146-2009

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

发布日期：2009-10-30  实施日期：2010-06-01

GB/T 17169-1997

硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法

实施日期：1998-08-01

BS 9364 N013-1979

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 25 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 25 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1979-01-15

YS/T 24-1992

外延钉缺陷的检验方法

适用范围：本标准现定了外延钉缺陷的检验方法。本标准适用于任何直径与晶向的硅外延片上高度不小4μm的钉缺陷存在与否的判断。如果钉缺陷比较少且彼此不相连,本标准可用于钉缺陷的计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。

实施日期：1993-01-01

SJ/T 31110-1994

AMV－1284型硅外延炉完好要求和检查评定方法

GB/T 14847-1993

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

适用范围：本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。　　本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-09-01

SJ 2758-1987

同型外延层厚度的红外干涉测试方法

Method of measurement by infrared interference for thickness of homoepitaxial layers ...

实施日期：1987-06-30

BS 9364 N017-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1979-01-15

SJ 1551-1979

硅外延层电阻率测试方法（电容－电压法）

Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01

GB/T 14142-1993

硅外延层晶体完整性检查方法

Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques

适用范围：本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。　　本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0～10000cm^2。

发布日期：1993-02-06  实施日期：1993-10-01

SJ/T 31111-1994

AMC－7811/21型桶式外延炉完好要求和检查评定方法

BS 9364 N007 and N009-1978

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level

SJ 3247-1989

同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法

Methods of measurement for extended-layer thickness of same-type Gallium arsenide by infra-red interference ...

实施日期：1989-03-25

SJ 1549-1979

硅外延片

Silicon epitaxial wafers (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01

DIN EN 15273-1-2010

Railway applications - Gauges - Part 1: General - Common rules for infrastructure and rolling stock; German version EN 15273-1:2009

实施日期：2010-11-01

GB/T 8758-2006

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared in terference

适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

BS 9364 N016-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1979-01-15

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01