BS 9364 N007 and N009-1978

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level

DIN EN 15273-1-2010

Railway applications - Gauges - Part 1: General - Common rules for infrastructure and rolling stock; German version EN 15273-1:2009

实施日期：2010-11-01

SJ 1549-1979

硅外延片

Silicon epitaxial wafers (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01

SJ 3247-1989

同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法

Methods of measurement for extended-layer thickness of same-type Gallium arsenide by infra-red interference ...

实施日期：1989-03-25

SJ 3242-1989

砷化镓外延片

Gallium arsenide epitaxy wafers

适用范围：本标准规定了砷化镓气相外延片和液相外延片的牌号命名法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制备场效应晶体管、变容二极管。霍耳器件及耿氏器件用的砷化镓外延片。

发布日期：1989-03-20  实施日期：1989-03-25

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01

BS 9364 N016-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1979-01-15

GB/T 14847-1993

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

适用范围：本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。　　本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-09-01

SJ 2758-1987

同型外延层厚度的红外干涉测试方法

Method of measurement by infrared interference for thickness of homoepitaxial layers ...

实施日期：1987-06-30

SJ/T 31110-1994

AMV－1284型硅外延炉完好要求和检查评定方法

YS/T 15-1991

硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色性

适用范围：本标准规定了硅外延层和扩散层厚度 磨角染色达测试方法。本标准适用于薄层与衬底导电类型不同或两层电阻率相差至少一个数量级的任意电阻率的薄层厚度测量。测量范围:1～25 μm。

实施日期：1992-06-01

GB/T 14015-1992

硅-兰宝石外延片

Silicon on sapphire epitaxial wafers

适用范围：本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则。　　本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。

发布日期：1992-12-28  实施日期：1993-08-01

GB/T 14847-2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

适用范围：本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在 23 ℃ 电阻率小于 0 . 02Ω· cm 和外延层在 23 ℃ 电阻率大于 0 .1Ω · cm 且外延层厚度大于 2μm 的 n 型和 p 型硅外延层厚度的测量；在降...

发布日期：2011-01-10  实施日期：2011-10-01

EN 15273-1-2009

Railway applications. Gauges. Part 1:General. Common rules for infrastructure and rolling stock

实施日期：2009-12-01

GB 11095-1989

霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片

Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices

BS 9364 N013-1979

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 25 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 25 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1979-01-15

YS/T 24-1992

外延钉缺陷的检验方法

适用范围：本标准现定了外延钉缺陷的检验方法。本标准适用于任何直径与晶向的硅外延片上高度不小4μm的钉缺陷存在与否的判断。如果钉缺陷比较少且彼此不相连,本标准可用于钉缺陷的计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。

实施日期：1993-01-01

GB/T 14141-2009

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

适用范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用...

发布日期：2009-10-30  实施日期：2010-06-01

SJ/T 31111-1994

AMC－7811/21型桶式外延炉完好要求和检查评定方法

SJ 1551-1979

硅外延层电阻率测试方法（电容－电压法）

Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01