GB/T 14141-1993

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array

实施日期：1993-10-01

SJ/T 31111-1994

AMC－7811/21型桶式外延炉完好要求和检查评定方法

SJ 3244.2-1989

砷化镓、磷化铟衬底与异质结外延层之间晶格失配的测量方法

Methods of measurement for crystal lattice mismatch between substrate of Gallium arsenide and Indium phosphide and extended layer of heterojunction ...

实施日期：1989-03-25

YS/T 15-1991

硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色性

适用范围：本标准规定了硅外延层和扩散层厚度 磨角染色达测试方法。本标准适用于薄层与衬底导电类型不同或两层电阻率相差至少一个数量级的任意电阻率的薄层厚度测量。测量范围:1～25 μm。

实施日期：1992-06-01

SJ 2758-1987

同型外延层厚度的红外干涉测试方法

Method of measurement by infrared interference for thickness of homoepitaxial layers ...

实施日期：1987-06-30

SJ 1550-1979

硅外延片检测方法

Method of inspection for silicon epitaxial wafers ...

实施日期：1980-06-01

BS 9364 N017-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1979-01-15

GB/T 14015-1992

硅-兰宝石外延片

Silicon on sapphire epitaxial wafers

适用范围：本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则。　　本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。

发布日期：1992-12-28  实施日期：1993-08-01

SJ 3247-1989

同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法

Methods of measurement for extended-layer thickness of same-type Gallium arsenide by infra-red interference ...

实施日期：1989-03-25

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01

BS 9364 N013-1979

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 25 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 25 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1979-01-15

SJ/T 10481-1994

硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法

实施日期：1994-10-01

DIN EN 15273-1-2010

Railway applications - Gauges - Part 1: General - Common rules for infrastructure and rolling stock; German version EN 15273-1:2009

实施日期：2010-11-01

GB/T 14847-1993

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

适用范围：本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。　　本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-09-01

SJ 1549-1979

硅外延片

Silicon epitaxial wafers (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01

SJ/T 31110-1994

AMV－1284型硅外延炉完好要求和检查评定方法

GB/T 11068-1989

砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer--Determination of carrier concentration--Voltage-capacitance method

适用范围：本标准规定了砷化惊外延层载流子浓度电容一电压法的测量方法。本标准适用于砷化徐外延层及体材料中载流子浓度的测量。

发布日期：1989-03-31  实施日期：1990-02-01

GB/T 14863-2013

用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

适用范围：本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。

发布日期：2013-12-31  实施日期：2014-08-15

JB/T 5631-1991

半导体器件外延炉 能耗标准

Epitaxial furnace for semiconductor devices. Energy efficiency standard

适用范围：本标准规定了半导体器件外延炉（以下简称外延炉）能耗分等。 本标准适用于电子工业企业外延炉。

发布日期：1991-09-12  实施日期：1992-07-01

SJ 20514-1995

微波功率晶体管用硅外延片规范

Specification for silicon epitaxial wafer for microwave power transistor

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01