GB/T 11068-2006

砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method

适用范围：本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×10^14cm^-3～5×10^17cm^-3。

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 14146-2009

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

发布日期：2009-10-30  实施日期：2010-06-01

BS 9364 N013-1979

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 25 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 25 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1979-01-15

GB/T 14847-1993

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

适用范围：本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。　　本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-09-01

SJ 2758-1987

同型外延层厚度的红外干涉测试方法

Method of measurement by infrared interference for thickness of homoepitaxial layers ...

实施日期：1987-06-30

BS 9364 N017-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1979-01-15

SJ 1551-1979

硅外延层电阻率测试方法（电容－电压法）

Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01

GB/T 14142-1993

硅外延层晶体完整性检查方法

Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques

适用范围：本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。　　本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0～10000cm^2。

发布日期：1993-02-06  实施日期：1993-10-01

BS 9364 N007 and N009-1978

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level

SJ 3247-1989

同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法

Methods of measurement for extended-layer thickness of same-type Gallium arsenide by infra-red interference ...

实施日期：1989-03-25

GB/T 8758-2006

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared in terference

适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

BS 9364 N016-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1979-01-15

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01

YS/T 15-1991

硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色性

适用范围：本标准规定了硅外延层和扩散层厚度 磨角染色达测试方法。本标准适用于薄层与衬底导电类型不同或两层电阻率相差至少一个数量级的任意电阻率的薄层厚度测量。测量范围:1～25 μm。

实施日期：1992-06-01

GB/T 14141-2009

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

适用范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用...

发布日期：2009-10-30  实施日期：2010-06-01

SJ 3244.2-1989

砷化镓、磷化铟衬底与异质结外延层之间晶格失配的测量方法

Methods of measurement for crystal lattice mismatch between substrate of Gallium arsenide and Indium phosphide and extended layer of heterojunction ...

实施日期：1989-03-25

BS 9364 N012-1978

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1978-07-15

YS/T 14-1991

导质外延层和硅交晶层厚度测量方法

实施日期：1992-06-01

GB/T 14847-2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

适用范围：本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在 23 ℃ 电阻率小于 0 . 02Ω· cm 和外延层在 23 ℃ 电阻率大于 0 .1Ω · cm 且外延层厚度大于 2μm 的 n 型和 p 型硅外延层厚度的测量；在降...

发布日期：2011-01-10  实施日期：2011-10-01

YS/T 23-1992

硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

适用范围：本标准规定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法。本标准适用于在<111>,<100>和<110>晶向的硅单晶衬底上生长的硅外延层厚度的测量。

实施日期：1993-01-01