NF C53-213-1993

Semiconducteur convectors general requirements and line commutated convertors. Part 1-3 : transformers and reactors.

SJ 50033/38-1994

半导体分立器件 ＣＳ４８５６～ＣＳ４８６１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/159-2002

半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG142 silicon UHF low-noise transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

GB 9504-1988

电子元器件详细规范 3CT315型管壳额定雪崩三极晶体闸流管(可供认证用)

实施日期：1988-12-01

JJG (电子) 04002-1987

BJ3030型高频小功率晶体管Cc.rbb'乘积测试仪(试行)

发布日期：1988-01-05  实施日期：1988-01-05

YD/T 527-1992

农缆12路晶体管载波电话设备技术要求

SJ 50033/87-1995

半导体分立器件ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS4091~CS4093 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ/T 10770-1996

电子元器件详细规范 3DG130A、3DG130B、3DG130C、3DG130D型环境额定高低频放大双极型晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components--Bipolar transistors for ambient-rated low and high frequency amplification of types 3DG130A, SDG130B, 3DG130C,3DG 130D

实施日期：1997-01-01

SJ 50033/10-1994

半导体分立器件 ３ＤＫ２０７型功率开关晶体管详细规范

适用范围：本规范规定了3DK207A～I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

GB/T 21039.1-2007

半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification

适用范围：IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。

发布日期：2007-06-29  实施日期：2007-11-01

IEEE 1620-2008

有机晶体管和材料特性的试验方法

Test methods for the characterization of organic transistors and materials IEEE computer society

实施日期：2008-09-26

PD 6601-1996

JESSI 0.8 $Gmm CMOS transistor model for analogue and digital circuit simulation

实施日期：1996-09-15

IEC 62860-2013

Test methods for the characterization of organic transistors and materials

发布日期：2013-08-05  实施日期：2013-08-05

CNS 8105-1981

电晶体集极-射极饱和电压测试法

Test Method for Transistor Collector - Emitter Saturation Voltage

发布日期：1981-11-23  实施日期：1981-11-23

SJ/T 11055-1996

电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS119 ...

实施日期：1997-01-01

SJ/T 10439-1993

双极型晶体管直流参数测试仪测试方法

Test methods for bipolar transister DC parameter testers

适用范围：本标准适用于SJ/T 10438《双极型晶体管直流参数测试仪通用技术条件》所规定的性能特性的测试。

发布日期：1993-12-17  实施日期：1994-06-01

GB 7577-1987

低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范(可供认证用)

实施日期：1987-11-01

SJ 20015-1992

半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级 ３ＣＧ１３０型NPN硅高频小功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP,GT and GCT classes

适用范围：本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

发布日期：1992-02-01  实施日期：1992-05-01

SJ 50033/155-2002

半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG252 sillcon microwave linearity transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ/T 10052-1991

电子元器件详细规范 ３ＣＤ５０７硅ＰＮＰ低频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507 ...

实施日期：1991-06-30