Compound semiconductive single crystals--Determination of crzystallographic orientation--X-ray diffraction method
Gallium arsenide single crystal—Determiantion of dislocation density
适用范围：本标准适用于位错密度为(0～100000)个/cm^2的砷化镓单晶的位错密度的测量。检验面为(111)面和(100)面。
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
适用范围：本标准规定了用二乙氨基二硫代甲酸银分光光度法测定空气中砷化氢。本标准适用于车间空气中的砷化氢测定。
实施日期：1996-07-01
Gallium arsenide single crystal-Determination of dislocation density
适用范围：本标准适用于位错密度为0~100 000个/cm<sup>2</sup>的砷化镓单晶的位错密度的测量。
发布日期：1988-02-25 实施日期：1989-02-01
Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices
Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method
适用范围：本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10^7Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2...
发布日期：1997-12-22 实施日期：1998-08-01
Determination of carrier concentration in gallium arsenide by the plasma resonance minimum
适用范围：本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围：n-GaAs 1.0×10^1^7 cm^-^3～1.0×10^1^9 cm^-^3p-GaAs 2.0×10^1^8 cm^-^3～1.0×10^2^0 cm^-^3
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
Hygienic determination method of arsenide in air of residential areas--Silver dithyldithiocarbamate spectrophotometric method
适用范围：本标准适用于居住区大气中砷化物质量浓度的测定。
发布日期：1988-02-23 实施日期：1988-12-01
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。
发布日期：2007-09-11 实施日期：2008-02-01
Gallium arsenide single crystal
适用范围：本标准规定了砷化镓单晶的产品分类，技术要求，试验方法，检验规则和标志，包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件，微波器件，集成电路，传感元件和窗口材料等的制作。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
适用范围：本标准规定了水平法砷化嫁单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于水平法制备的砷化锌单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-03-01
Gases for electronic industry - Arsine
适用范围：本标准规定了砷化氢的技术要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全。本标准适用于砷化合物与酸反应获得的砷化氢。在半导体器件制备过程中，砷化氢用于掺杂以及化合物半导体外延。
发布日期：2011-01-14 实施日期：2011-05-01
Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method
适用范围：本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×10^14cm^-3～5×10^17cm^-3。
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
Gallium arsenide epitaxial layer--Determination of carrier concentration--Voltage-capacitance method
适用范围：本标准规定了砷化惊外延层载流子浓度电容一电压法的测量方法。本标准适用于砷化徐外延层及体材料中载流子浓度的测量。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-02-01
Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared in terference
适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
Diagnostic Criteria of Occupational Acute Arsine Poisoning
适用范围：本标准规定了职业性急性砷化氢中毒的诊断标准及处理原则。本标准适用于职业活动中吸及砷化氢气体引起的急性中毒。不适用于砷、砷的氧化物及砷酸盐引起的中毒。
发布日期：2002-04-08 实施日期：2002-06-01
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