CNS 1854-1969

化学试药(苯胂酸)

Phenylarsonic Acid

发布日期：1969-07-26  实施日期：1969-07-26

GB/T 8757-2006

砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法

Determination of carrier concentration in gallium arsenide by the plasma resonance minimum

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01

GB/T 16035-1995

车间空气中砷化氢的二乙氨基二硫代甲酸银分光光度测定方法

实施日期：1996-07-01

GB/T 11094-2007

水平法砷化镓单晶及切割片

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single　crystal and cutting wafer

发布日期：2007-09-11  实施日期：2008-02-01

GBZ 44-2002

职业性急性砷化氢中毒诊断标准

Diagnostic Criteria of Occupational Acute Arsine Poisoning

发布日期：2002-04-08  实施日期：2002-06-01

GB/T 8758-2006

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared in terference

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 8757-1988

砷化镓载流子浓度等离子共振测量方法

实施日期：1989-02-01

GB/T 8760-1988

砷化镓单晶位错密度的测量方法

Gallium arsenide single crystal-Determination of dislocation density

发布日期：1988-02-25  实施日期：1989-02-01

GB/T 11093-1989

液封直拉法砷化镓单晶及切割片

Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices

发布日期：1989-03-31  实施日期：1990-03-01

GB/T 20228-2006

砷化镓单晶

Gallium arsenide single crystal

发布日期：2006-04-21  实施日期：2006-10-01

GB/T 8760-2006

砷化镓单晶位错密度的测量方法

Gallium arsenide single crystal—Determiantion of dislocation density

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 11068-2006

砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 8912-1988

居住区大气中砷化物卫生标准检验方法 二乙氨基二硫代甲酸银分光光度法

Hygienic determination method of arsenide in air of residential areas--Silver dithyldithiocarbamate spectrophotometric method

发布日期：1988-02-23  实施日期：1988-12-01

GB/T 11093-2007

液封直拉法砷化镓单晶及切割片

Liquid encapsulated czochralski - grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

发布日期：2007-09-11  实施日期：2008-02-01

GB/T 26250-2010

电子工业用气体 砷化氢

Gases for electronic industry - Arsine

发布日期：2011-01-14  实施日期：2011-05-01

GB/T 17170-1997

非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级ＥＬ２浓度红外吸收测试方法

Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method

发布日期：1997-12-22  实施日期：1998-08-01

GB/T 11068-1989

砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer--Determination of carrier concentration--Voltage-capacitance method

发布日期：1989-03-31  实施日期：1990-02-01

GB 11095-1989

霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片

Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices

GB 8759-1988

化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法

Compound semiconductive single crystals--Determination of crzystallographic orientation--X-ray diffraction method