SJ 50033/33-1994

半导体分立器件 Ｆ１１２１、Ｆ１１２９型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH121 NPN silicon power Darlington transistor

适用范围：本规范规定了FH121型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 2702-1986

３ＤＧ４５８型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范

Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistors,Type 3DG458 ...

实施日期：1986-10-01

SJ 50033/155-2002

半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG252 sillcon microwave linearity transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ/T 10966-1996

电子元器件详细规范 3DD100C型硅NPN管壳额定低频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD100C

实施日期：1997-01-01

SJ/T 10973-1996

电子元器件详细规范 3DD200型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管(可供认证用)

实施日期：1997-01-01

SJ 50033/122-1997

半导体分立器件CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管 详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3684~CS3687 silicon N-channel junction mode field-effect transistors

适用范围：本规范规定了CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1997-06-17  实施日期：1997-10-01

SJ/T 10053-1991

电子元器件详细规范 ３ＤＤ３１３型硅ＮＰＮ低频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3DD313 ...

实施日期：1991-06-30

SJ/T 10066-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３７型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT37 (Applicable for certification) ...

实施日期：1991-06-30

SJ 50033/160-2002

半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG122 silicon UHF low-power transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ/T 10064-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３２型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT32 (Applicable for certification) ...

实施日期：1991-06-30

SJ 50033/34-1994

半导体分立器件 Ｆ１１２９型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH129 NPN silicon power Darlington transistor

适用范围：本规范规定了FH129型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ/T 10050-1991

电子元器件详细规范 ３ＤＡ１７２２型ＮＰＮ高频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for high-frequency amplification, Type 3DA1722

实施日期：1991-06-30

SJ 50033/166-2004

半导体分立器件3DA507型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA507 silicon microwave pulse power transistor

发布日期：2004-08-02  实施日期：2004-12-01

SJ 50033/38-1994

半导体分立器件 ＣＳ４８５６～ＣＳ４８６１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/84-1995

半导体分立器件ＣＳ１４０型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管 详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS140 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ/T 10051-1991

电子元器件详细规范 ３ＤＡ２６８８型ＮＰＮ高频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for high-frequency amplification for type 3DA2688

实施日期：1991-06-30

SJ 2699-1986

３ＤＧ３８８型ＮＰＮ硅高频低噪声小功率晶体管详细规范

Detail specification for silicon NPN high frequency low noise low power transistors,Type 3DG388 ...

实施日期：1986-10-01

SJ/T 10065-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３３型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT33 (Applicable for certification) ...

实施日期：1991-06-30

SJ 3125-1988

电子元器件详细规范 ３ＤＤ２０２７型硅ＮＰＮ低频放大管壳额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Case-rated bipolar transistors for silicon NPN low frequency amplification,Type 3DD2027 ...

实施日期：1988-12-01

SJ/T 10960-1996

电子元器件详细规范 3CG844型硅PNP环境额定高频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification ...

实施日期：1997-01-01