SJ 50033/83-1995

半导体分立器件ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ/T 10065-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３３型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT33 (Applicable for certification) ...

实施日期：1991-06-30

SJ/T 10970-1996

电子元器件详细规范 3DG3077型硅NPN环境额定高频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG3077

实施日期：1997-01-01

SJ/T 10049-1991

电子元器件详细规范 ３ＤＡ１１６２型硅ＮＰＮ高频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon NPN case-rated bipolar transistor for high-frequency amplification,Type 3DA1162

实施日期：1991-06-30

SJ 50033/38-1994

半导体分立器件 ＣＳ４８５６～ＣＳ４８６１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/166-2004

半导体分立器件3DA507型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA507 silicon microwave pulse power transistor

发布日期：2004-08-02  实施日期：2004-12-01

SJ/T 11058-1996

电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS1421 ...

实施日期：1997-01-01

SJ 20306-1993

半导体分立器件 ＦＨ１８１Ａ型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Detail specification for Type FH181A NPN silicon power Darlington transistor

适用范围：本规范规定了FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。

发布日期：1993-05-11  实施日期：1993-07-01

SJ 50033/122-1997

半导体分立器件CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管 详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3684~CS3687 silicon N-channel junction mode field-effect transistors

适用范围：本规范规定了CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1997-06-17  实施日期：1997-10-01

SJ 50033/89-1995

半导体分立器件ＣＳ６７６８和ＣＳ６７７０型硅Ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS6768 and CS6770 silicon N-channel enhancement mode field effect transistor

适用范围：本规范规定了CS6768和CS6770型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 50033/154-2002

半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ/T 10957-1996

电子元器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS103 ...

实施日期：1997-01-01

SJ/T 11055-1996

电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS119 ...

实施日期：1997-01-01

SJ 50033/84-1995

半导体分立器件ＣＳ１４０型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管 详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS140 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 20307-1993

半导体分立器件 ＦＨ６４６型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Detail specification for Type FH646 NPN silicon power Darlington transistor

适用范围：本规范规定了FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。

发布日期：1993-05-11  实施日期：1993-07-01

SJ/T 10966-1996

电子元器件详细规范 3DD100C型硅NPN管壳额定低频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD100C

实施日期：1997-01-01

SJ/T 10052-1991

电子元器件详细规范 ３ＣＤ５０７硅ＰＮＰ低频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507 ...

实施日期：1991-06-30

SJ/T 10975-1996

电子元器件详细规范 3DG1825型硅NPN环境额定高频放大晶体管 (可供认证用)

Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification ...

实施日期：1997-01-01

SJ 20056-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０３型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK103

适用范围：本规范规定了3DK103型NPN硅小功率开关晶体管的详细要求。每种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、和GCT级)。

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 50033/85-1995

半导体分立器件ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01