Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor
适用范围:本规范规定了CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1995-05-25 实施日期:1995-12-01
Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT33 (Applicable for certification) ...
实施日期:1991-06-30
Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG3077
实施日期:1997-01-01
Detail specification for electronic components--Silicon NPN case-rated bipolar transistor for high-frequency amplification,Type 3DA1162
实施日期:1991-06-30
Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
适用范围:本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1994-09-30 实施日期:1994-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA507 silicon microwave pulse power transistor
发布日期:2004-08-02 实施日期:2004-12-01
Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS1421 ...
实施日期:1997-01-01
Detail specification for Type FH181A NPN silicon power Darlington transistor
适用范围:本规范规定了FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。
发布日期:1993-05-11 实施日期:1993-07-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3684~CS3687 silicon N-channel junction mode field-effect transistors
适用范围:本规范规定了CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1997-06-17 实施日期:1997-10-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS6768 and CS6770 silicon N-channel enhancement mode field effect transistor
适用范围:本规范规定了CS6768和CS6770型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1995-05-25 实施日期:1995-12-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor
发布日期:2002-10-30 实施日期:2003-03-01
Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS103 ...
实施日期:1997-01-01
Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS119 ...
实施日期:1997-01-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS140 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor
适用范围:本规范规定了CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1995-05-25 实施日期:1995-12-01
Detail specification for Type FH646 NPN silicon power Darlington transistor
适用范围:本规范规定了FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。
发布日期:1993-05-11 实施日期:1993-07-01
Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD100C
实施日期:1997-01-01
Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507 ...
实施日期:1991-06-30
Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification ...
实施日期:1997-01-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK103
适用范围:本规范规定了3DK103型NPN硅小功率开关晶体管的详细要求。每种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、和GCT级)。
发布日期:1992-11-19 实施日期:1993-05-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor
适用范围:本规范规定了CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期:1995-05-25 实施日期:1995-12-01
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