IEC 60747-8-4-2004

半导体分立器件 第8-4部分:功率切换用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)

Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications

适用范围：Gives details for the following categories of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with inverse diodes: type B depletion (normally on) type and Type C enhancement (normally off)...

发布日期：2004-09-24  实施日期：2004-09-24

BS CECC 90104-1990

Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Familien Spezifikation:C. MOS Digitale integrierte Schaltungen Serien 4000 B und 4000 UB Specification for Harmonized system of quality assessment for electronic components Family specification C. MOS digital integrated circuits Series 4000 B and 4000 UB Système harmonis d'assurance de la qualit des composants électroniques Spécification de famille Circuits integres digitaux C. MOS Séries 4000 B et 4000 UB

实施日期：1990-11-30

TB/T 1844-1987

25kV交流电气化铁道用无间隙金属氧化物避雷器技术条件

适用范围：本标准规定了25kV交流电气化铁道用无间隙金属氧化物避雷器的技术条件。

发布日期：1988-01-16  实施日期：1988-06-30

BS EN 190116-1994

电子元器件质量评定协调系统.类规范.AC MOS数字集成电路

Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Familienspezifikation Family Specification:AC MOS Digital Integrated Circuits (S) Système Harmonise d'Assurance de la qualite de...

适用范围：Gives limiting conditions of use, recommended operating conditions and associated characteristics, test methods and procedures and inspection requirements for the family.

实施日期：1994-01-01

PD 6595-1996

Parameter extraction techniques for the European mini test chip

实施日期：1996-05-15

BS CECC 90109-1986

Harmonisiertes Guetebestaetigungsystem fuer Bauelemente der Elektronik. Familien-Spezifikation. Digitale integrierte HC MOS-Schaltungen Serien HC/HCT/HCU Specification for Harmonized system of quality assessment for electronic comonents Family Specification Digital integrated HC MOS circuits series HC/HCT/HCU Système harmonise d'assurance de la qualite des composants electroniques. Specification de famille. Circuits integres digitaux HC MOS series HC/HCT/HCU REMAINS CURRENT"

实施日期：1986-11-01

BS ISO 10081-4-2007

Klassifizierung dichter geformter feuerfester Erzeugnisse. Sondererzeugnisse Classification of dense shaped refractory products. Part 4:Special products Classification des produits réfractaires fa?onnés denses. Produits spéciaux

实施日期：2007-08-31

IEEE C62.11-2012

Metal-Oxide Surge Arresters for AC Power Circuits (>1 kV)

实施日期：2012-10-19

BS CECC 90111-1987

Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation. Integrierte statische mos Schreib-/lese-speicherschaltungen Blank Detail Specification:MOS Read/Write Static Memories Silicon Monolithic Circuits (AMD 8164) March 15,1994 (T) Système harmonise d'assurance de la qualite des composants electroniques. Specification particulière cadre. Memoires RAM statiques lecture/ecriture. circuits integres Amd 1;

实施日期：1987-01-01

EN 61643-331-2003

Components for low-voltage surge protective devices Part 331: Specification for metal oxide varistors (MOV) IEC 61643-331: 2003

JB/T 7617-1994

六氟化硫罐式无间隙金属氧化物避雷器

实施日期：1995-06-01

BS QC 790107-1995

Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltungen. Integrierte Digitalschaltungen. Vordruck fuer Bauartspezifikation fuer integrierte dynamische Schreib-/Lesespeicher Harmonized System of Quality Assessment for Electronic Components Semiconductor Devices-Integrated Circuits:Digital Integrated Circuits Blank Detail Specification Integrated Circuit Dynamic Read/ Write Memories (IEC 748-2-10:1994) (T) Dispositifs a semiconducteurs. Circuits integres. Circuits integres numeriques. Specification particu

实施日期：1995-01-01

JB/T 10609-2006

交流三相组合式有串联间隙金属氧化物避雷器

Combination type metal-oxide surge arresters with series gaps for the three-phase a.c. systems

适用范围：本标准规定了额定电压42kV及以下瓷外套和复合外套三相组合式有串联间隙金属氧化物避雷器（以下简称避雷器、瓷外套避雷器和复合外套避雷器）的技术要求、试验方法、检验规则等内容。 本标准适用于35kV及以下交流非有效接地系...

发布日期：2006-09-14  实施日期：2007-03-01

GB/T 26029-2010

镍、钴、锰三元素复合氧化物

Nickel cobalt manganese composite oxide

适用范围：本标准规定了镍、钻、锰三元素复合氧化物的要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存和质量证明书及合同（或订货单）内容等。

发布日期：2011-01-10  实施日期：2011-10-01

NF B40-001-4-1999

Classification of dense shaped refractory products. Part 4 : special products.

IEC 62417-2010

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管的可移动离子试验

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

适用范围：IEC 62417:2010 provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. It is applicable to both ac...

发布日期：2010-04-22  实施日期：2010-04-22

NF B40-002-1-2005

Classification of dense shaped refractory products - Part 1 : alumina-silica.

JB/T 6479-1992

交流电力系统线路阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器

适用范围： 本标准规定了交流电力系统线路阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装和运输等内容。 本标准仅适用于交流电力系统线路阻波器过电压保护用避雷器。

实施日期：1993-01-01

BS EN ISO 10081-1-2005

Classification of dense shaped refractory products. Alumina-silica

实施日期：2003-12-12

IEC 61643-331-2003

低压电涌保护器的元件 第331部分:金属氧化物变阻器(MOV)规范

Components for low-voltage surge protective devices Part 331:Specification for metal oxide varistors (MOV) Composants pour parafoudres basse tension Partie 331:Spécifications pour les varistances. ...

适用范围：本部分是用于交流l000V及以下或直流1500V及以下供电线路、通信及信号系统中用来保护设备、人员或两者免受高的瞬态电压的危害的金属氧化物压敏电阻的试验规范。 本规范适用于双电极MOV，不适用于混合装置。本规范也不考虑...

实施日期：2003-05-01