Methods for chemical analysis of high purity indium oxide - Part 2: Determination of tin content - Phenylfluorone spectrophotometry
适用范围：GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中锡量的测定方法。 本部分适用于高纯氧化铟中锡量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 05%～0.004 0%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
High purity indium oxide
适用范围：本标准规定了高纯氧化铟的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容。 本标准适用于以金属铟为原料，经净化、中和、沉淀和焙烧制得的高纯氧化铟，产品主要用于制取碱性电池、ITO及电子元件材料等。...
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide - Part 6: Determination of the loss on ignition - Gravimetric analysis
适用范围：GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟灼减量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟灼减量的测定，测定范围(质量分数)为16.00%～18.00%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide - Part 5: Determination of chlorine content - Mercuric sulfocyanide spectrophotometry
适用范围：GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中氯量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中氯量的测定，测定范围(质量分数)为0.025%～0.80%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium oxide - Part 1: Determination of arsenic content - Atomic fluorescence spectrometry
适用范围：GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中砷量的测定方法。 本部分适用于高纯氧化铟中砷量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 01%～0.005 0%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium oxide - Part 6: Determination of the loss on ignition - Gravimetric analysis
适用范围：GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟灼减量的测定方法。 本部分适用于高纯氧化铟灼减量的测定，测定范围(质量分数)为0.05%～1.00%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
High purity indium hydroxide
适用范围：本标准规定了高纯氢氧化铟的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容。 本标准适用于以金属铟为原料，经净化、中和、沉淀制得的高纯氢氧化铟，产品主要用于制取碱性电池、ITO及电子元件材料等。 分...
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Test methods for chemical analysis of silver-tin oxide-indium oxide electric contact material-Part 5:Determination of nickel,zinc and indium contents
适用范围：JB/T 7777的本部分规定了银氧化锡氧化铟电触头材料中镍、锌和铟质量分数的测定方法。本部分适用于银氧化锡氧化铟电触头材料中镍、锌和铟质量分数的测定。测定范围见表1。
实施日期：2008-07-01
Standard method for showing andmeasuring dislocation etch pits in indium antimonide single crystal
适用范围：本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀，适用于锑化铟原始晶片(111)铟面α位错的显示和测定。测量面偏离(111)面应不大于3°。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide - Part 4: Determination of aluminum, iron, copper, zinc, cadmium, lead and thallium content - Inductively coupled plasma mass spectrometry
适用范围：GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中铝、铁、铜、锌、镉、铅和铊量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中铝、铁、铜、锌、镉、铅和铊量的测定。测定范围(质量分数)为铝、铁、锌、铅0.000 05%～0.004 0%，铜、镉、铊0.000 02%～0.0...
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium oxide - Part 4: Determination of aluminum, iron, copper, zinc, cadmium, lead and thallium content - Inductively coupled plasma mass spectrometry
适用范围：GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中铝、铁、铜、锌、镉、铅和铊量的测定方法。 本部分适用于高纯氧化铟中铝、铁、铜、锌、镉、铅和铊量的测定。 测定范围(质量分数)为铝、铁、锌、铅0.000 05%～0.004 0%，铜、镉、铊0.000 02%～0.004...
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Indium antimonide polycrystal single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
发布日期：2009-10-30 实施日期：2010-06-01
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide - Part 3: Determination of antimony content - Atomic fluorescence spectrometry
适用范围：GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锑量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中锑量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 01%～0.005 0%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium oxide - Part 3: Determination of antimony content - Atomic fluorescence spectrometry
适用范围：GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中锑量的测定方法。 本部分适用于高纯氧化铟中锑量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 01%～0.008 0%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Indium antimonide polycrystal，single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了锑化锢多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化锢多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-02-01
Compound semiconductive single crystals--Determination of crzystallographic orientation--X-ray diffraction method
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide - Part 1: Determination of arsenic content - Atomic fluorescence spectrometry
适用范围：GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中砷量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中砷量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 01%～0.005 0%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
适用范围：本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。 本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载...
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium oxide - Part 5: Determination of chlorine content - Mercuric sulfocyanide spectrophotometry
适用范围：GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中氯量的测定方法。 本部分适用于高纯氧化铟中氯量的测定，测定范围(质量分数)为0.025%～0.80%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide - Part 2: Determination of tin content - Phenylfluorone spectrophotometry
适用范围：GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锡量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中锡量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 05%～0.004 0%。
发布日期：2009-03-19 实施日期：2010-01-01
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