DIN 50451-4-2007

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 4: Determination of 34 elements in ultra pure water by mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)

实施日期：2007-02-01

GB/T 20975.20-2008

铝及铝合金化学分析方法 第20部分：镓含量的测定 丁基罗丹明B分光光度法

Methods for chemical analysis of aluminium and aluminium alloys - Part 20：Determination of gallium content Butyrhodamine B spectrophotometric method

适用范围：本部分规定了铝及铝合金中镓含量的测定方法。　　本部分适用于铝及铝合金中镓含量的测定。测定范围：0.005%～0.050%。

发布日期：2008-03-31  实施日期：2008-09-01

YS/T 520.1-2007

镓化学分析方法 第1部分 铜含量的测定 2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-二氮杂菲分光光度法

实施日期：2008-05-01

SJ 3247-1989

同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法

Methods of measurement for extended-layer thickness of same-type Gallium arsenide by infra-red interference ...

实施日期：1989-03-25

SJ 3242-1989

砷化镓外延片

Gallium arsenide epitaxy wafers

适用范围：本标准规定了砷化镓气相外延片和液相外延片的牌号命名法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制备场效应晶体管、变容二极管。霍耳器件及耿氏器件用的砷化镓外延片。

发布日期：1989-03-20  实施日期：1989-03-25

SJ/T 11396-2009

氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片

The sapphire substrates for nitride based light-emitting diode

发布日期：2009-11-17  实施日期：2010-01-01

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01

GB 8759-1988

化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法

Compound semiconductive single crystals--Determination of crzystallographic orientation--X-ray diffraction method

SJ 2250-1982

半导体磷砷化镓发光二极管

实施日期：1983-07-01

SJ 50033.54-1994

半导体分立器件 ＣＳ０５３２型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0532 GaAs microwave power field effect transistor

适用范围：本规范规定了CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033.51-1994

半导体分立器件 ＣＳ０５５８型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范

Semiconductor discreted devices Detail specification for type CS0558 GaAs microwave dual gate FET

适用范围：本规范规定了CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管〈以下简称器件〉的详细要求。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 20842-2002

砷化嫁表面嫁砷比地测试方法

Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide

适用范围：本标准规定了砷化镓材料表面镓砷比的X射线光电子能谱的试验方法。本标准适用于监测砷化镓器件制造过程中各种表面处理对砷化镓晶片表面镓砷比的影响,也适用于晶片加工中的各种表面处理。

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

GB/T 4375.10-1984

镓化学分析方法 原子吸收分光光度法测定锌量

Methods for chemical analysis of gallium--The atomic absorption spectrophotometric method for the determination of zinc content

实施日期：1985-04-01

SJ 50033/119-1997

半导体分立器件 ＣＳ２０４型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS204 GaAs microwave power field effect transistor

适用范围：本规范规定了CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1906-06-08  实施日期：1997-10-01

SJ 3249.2-1989

半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

Methods of measurement for Carbon concentration of semi-insulation Gallicem arsenide single crystal by infra-red absorption ...

实施日期：1989-03-25

GB/T 14353.13-2014

铜矿石、铅矿石和锌矿石化学分析方法 第13部分：镓量、铟量、铊量、钨量和钼量测定

Methods for chemical analysis of copper ores, lead ores and zinc ores―Part 13: Determination of gallium content、indium content、thallium content、tungsten content and molybdenum content

适用范围：GB/T 14353的本部分规定了电感耦合等离子体质谱法同时测定铜矿石、铅矿石和锌矿石中镓量、 铟量、铊量、钨量和钼量。 GB/T 14353的本部分适用于铜矿石、铅矿石和锌矿石中镓量、铟量、铊量、钨量和钼量的电感耦合 等离子体质谱...

发布日期：2014-12-05  实施日期：2015-04-01

GB/T 8760-2006

砷化镓单晶位错密度的测量方法

Gallium arsenide single crystal—Determiantion of dislocation density

适用范围：本标准适用于位错密度为(0～100000)个/cm^2的砷化镓单晶的位错密度的测量。检验面为(111)面和(100)面。

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 6987.20-2001

铝及铝合金化学分析方法 丁基罗丹明B光度法测定镓量

Aluminium and aluminium alloys -Determination of gallium content-Butyrhodamine B spefctrophotometric method

实施日期：2001-12-01

YS/T 520.11-2007

镓化学分析方法 第11部分：汞含量的测定 冷原子吸收光谱法

Chemical analysis of gallium—Part 11:Determination of zinc conetent—The cold vapor atomic absorption spectral method

发布日期：2007-11-14  实施日期：2008-05-01

QB/T 2943-2008

碘镓灯

Gallium iodide lamps

适用范围：本标准规定了碘镓灯的术语和定义、产品分类、技术要求、检验规则和标志、包装、运输、贮存。该产品主要用于照相制版以及光化学反应等领域的碘镓灯（以下简称“灯”）。

实施日期：2008-07-01