Gallium arsenide single crystal-Determination of dislocation density
适用范围：本标准适用于位错密度为0~100 000个/cm<sup>2</sup>的砷化镓单晶的位错密度的测量。
发布日期：1988-02-25 实施日期：1989-02-01
Methods for chemical analysis of bauxite--Determination of gallium oxide content--Rhodamine B-extraction photometric method
实施日期：2000-04-01
Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices
适用范围：本标准规定了液封直拉法砷化稼单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于液封直拉法制备的砷化稼单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-03-01
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。
发布日期：2007-09-11 实施日期：2008-02-01
Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared in terference
适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
Gallium phosphide single crystal
适用范围：本标准规定了非掺杂，掺S，掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化镓单晶材料（以下简称单晶）。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method
适用范围：本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×10^14cm^-3～5×10^17cm^-3。
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
Gallium arsenide wafers by liquid phase epitaxy for Hall and Gunn devices
Gallium arsenide single crystal
适用范围：本标准规定了砷化镓单晶的产品分类，技术要求，试验方法，检验规则和标志，包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件，微波器件，集成电路，传感元件和窗口材料等的制作。
发布日期：2006-04-21 实施日期：2006-10-01
Gallium arsenide single crystal—Determiantion of dislocation density
适用范围：本标准适用于位错密度为(0～100000)个/cm^2的砷化镓单晶的位错密度的测量。检验面为(111)面和(100)面。
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
适用范围：本标准规定了水平法砷化嫁单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于水平法制备的砷化锌单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。
发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-03-01
Determination of carrier concentration in gallium arsenide by the plasma resonance minimum
适用范围：本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围：n-GaAs 1.0×10^1^7 cm^-^3～1.0×10^1^9 cm^-^3p-GaAs 2.0×10^1^8 cm^-^3～1.0×10^2^0 cm^-^3
发布日期：2006-07-18 实施日期：2006-11-01
Liquid encapsulated czochralski - grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices
适用范围：本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件...
发布日期：2007-09-11 实施日期：2008-02-01
Compound semiconductive single crystals--Determination of crzystallographic orientation--X-ray diffraction method
Methods for chemical analysis of bauxite ores--The rhodamine B-extraction photometric method for determination of gallium oxide content
请选择需要导出的字段：
请选择需要导出的字段：
知识产权声明 | 服务承诺 | 联系我们 | 客户服务 | 关于我们
网络出版服务许可证：(署)网出证(京)字第072号 互联网药品信息服务资格证书号：(京)-经营性-2016-0015 信息网络传播视听节目许可证 许可证号：0108284
万方数据标准管理系统V2.0 证书号:软著登字第11198474号
京ICP证：010071 京公网安备11010802020237号 京ICP备08100800号-1
客服电话：4000115888 客服邮箱：service@wanfangdata.com.cn 违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn 举报专区：https://www.12377.cn
万方数据知识服务平台--国家科技支撑计划资助项目（编号：2006BAH03B01）©北京万方数据股份有限公司 万方数据电子出版社
