GB 4940-1985

普通晶闸管

实施日期：1985-11-01

GB/T 15291-1994

半导体器件 第6部分 晶闸管

Semiconductor devices--Part 6:Thyristors

适用范围：本标准规定了晶闸管的术语、文字符号、额定值、特性、测试方法、接收和可靠性。　　本标准适用于反向阻断三极晶闸管、双向三极晶闸管、环境额定双向二极晶闸管和反向导通三极晶闸管。

发布日期：1994-12-06  实施日期：1995-10-01

GB/T 13150-2005

半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范

Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

适用范围：本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一。

发布日期：2005-03-23  实施日期：2005-10-01

GB 2900.32-1982

电工术语 电力半导体器件

Electrotechnical terminology--Power semiconductor devices

JB/T 4193-2013

快速晶闸管

Fast-switching thyristors

适用范围：本标准规定了管壳额定通态平均电流100 A～3 000 A，阻断特性对称的快速型反向阻断三极晶闸管的型号和尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和包装等技术要求。本标准适用于对称快速晶闸管。不对称快速晶闸管也可参照使用。本标准...

发布日期：2013-04-25  实施日期：2013-09-01

IEEE C62.37-1996

可控硅二极管电涌保护装置的测试规范

Standard Test Specification for Thyristor Diode Surge Protective Devices

GB/T 4940-1985

普通晶闸管

Triode thyristors for general purpose

CNS 6122-1988

单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法-闸流体之连续通电试验

Environmental Testing Methods and Endurance Testing Methods for Discrete Semiconductor Devices(Continuous Applying Voltage Test of Thyristors)

发布日期：1980-08-13  实施日期：1988-11-10

GB 3886-1983

直流电动机调速用晶闸管电力变流器

实施日期：1984-08-01

IEC 61803-1999

高压直流(HVDC)变流站功率损失的测定

Determination of power losses in high-voltage direct current (HVDC) converter stations

适用范围：Applies to all line-commutated high-voltage direct current (HVDC) converter stations used for power exchange in utility systems. Presumes the use of 12-pulse thyristor converters but can also be used f...

发布日期：1999-02-26  实施日期：1999-02-26

GB/T 14111-1993

闸流管与充气整流管空白详细规范 （可供认证用）

Blank detail specificationfor thyratorns and gas-filled rectifier tubes

适用范围：本空白详细规范是GB/T 14110《闸流管与充气整流管总规范》的补充性文件。它规定了详细规范所采用的格式和包括的内容。

发布日期：1993-01-21  实施日期：1993-08-01

DIN EN 60146-2-2001

半导体变流器.第2部分:自整流整流器包括直接式直流整流器

Semiconductor convertors - Part 2: Self-commutated semiconductor convertors including direct d.c. convertors (IEC 60146-2:1999); German version EN 60146-2:2000

实施日期：2001-02-01

SJ/T 10959-1996

电子元器件详细规范 3CT315型管壳额定雪崩三极晶体闸流管

Detail specification for electronic components--Avalanche triode thyristor case-rated for type 3CT315 ...

实施日期：1997-01-01

NF C53-254-2000

Power electronics for electrical transmission and distribution systems - Testing of thyristors valves for static VAR compensators.

SJ 1488-1979

反向阻断型高频半导体闸流管额定高频通态平均电流Ｉｒ的测试方法

Method of measurement for rated high-frequency on-state mean current Ir of reverse blocking high-frequency thyristors ...

实施日期：1980-06-01

IEEE 1534-2009

指定半导体闸流管控制的串联电容器的推荐实施规范

Recommended practice for specifying thyristor-controlled series capacitors

实施日期：2009-09-11

CNS 9833-1988

可靠度保证双向三极闸流体(中,大电流)

Reliability assured bi-directional triode thyistors (high and medium current)

发布日期：1983-01-12  实施日期：1988-12-15

DIN EN 153000-1999

总规范:分立压力接触功率半导体器件(合格批准)

Generic specification: Discrete pressure contact power semiconductor devices (Qualification approval); German version EN 153000:1998

适用范围：The document applies to discrete pressure contact power semiconductor devices namely rectifier diodes, transistor, thyristor and their derivates. The requirements also cover encapsulated assemblies. It...

DIN EN 60146-1-1-2011

Semiconductor converters. General requirements and line commutated converters. Part 1-1:Specification of basic requirements (IEC 60146-1-1:2009); German version EN 60146-1-1:2010

IEC 60146-1-1-2009

半导体变流器 一般要求和电网换相变流器 第1-1部分:基本要求规范

Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-1: Specification of basic requirements

适用范围：IEC 60146-1-1:2009 specifies the requirements for the performance of all semiconductor power converters and semiconductor power switches using controllable and/or non-controllable electronic valve devi...

发布日期：2009-06-29  实施日期：2009-06-29