GB/T 16894-1997

大于１００Ａ，环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes)，ambient and case-rated，for currents greater than 100A

适用范围：国际电工委员会电子器件质量评定体系遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用范围要求所放行的电子器件在其他成员国内无...

发布日期：1997-06-28  实施日期：1998-03-01

GB/T 6351-1998

半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境和管壳额定整流二极管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices Part 2; Rectifier diodes Section One -Blank detail specification for retifier diodes(including avalanche recti-fier diodes),ambient and case -rated ,up to 100A

适用范围：本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。　　本标准是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路...

发布日期：1998-11-17  实施日期：1999-06-01

EN 61643-321-2002

Components for Low-Voltage Surge Protective Devices Part 321: Specifications for Avalanche Breakdown Diode (ABD) IEC 61643-321: 2001

SJ 2354.12-1983

ＰＩＮ、雪崩光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法

Method of measurement for temperature factor of reverse breakdown voltage of PIN and avalanche photodiodes

实施日期：1984-07-01

DIN EN 61643-321-2003

低压浪涌保护装置 第321部分:雪崩二极管(ABD)规范

Components for low-voltage surge protection devices - Part 2: Specifications for avalanche breakdown diode (ABD)

实施日期：2003-02-01

IEC 61643-321-2001

低压电涌保护器的元件 第321部分:雪崩击穿二极管(ABD)规范

Components for low-voltage surge protective devices - Part 321: Specifications for avalanche breakdown diode (ABD)

适用范围：Is applicable to avalanche breakdown diodes (ABDs) which represent one type of surge protective device component (hereinafter referred to as SPDC) used in the design and construction of surge protectiv...

发布日期：2001-12-04  实施日期：2001-12-04

BS QC 750109-1994

Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Gleichrichterdioden. Vordruck fuer Bauartspezifikationen fuer Gleichrichterdioden (einschliesslich Avalanche Gleichrichterdioden) umgebungs-und gehaeusebezogen fuer Stroeme ueber 100 A Blank Detail Specification:Rectifier Diodes (Including Avalanche Rectfier Diodes),Ambient and Case-Rated,for Currents Greater Than 100 A (IEC 747-2-2:1993) (In Accordance with BS QC 750100) (T) Dispositifs a semiconducteurs;dispositifs discrets. Diodes de redres

实施日期：1994-02-15

GB 6351-1986

100A以下环境和管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范(可供认证用)

实施日期：1987-01-01

IEC 60747-4-2007

半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

适用范围：Provides requirements for the following categories of discrete devices: variable capacitance diodes and snap-off diodes, mixer diodes and detector diodes, avalanche diodes, gunn diodes,bipolar transist...

发布日期：2007-08-23  实施日期：2007-08-23

BS 9300 C667-668-1971

Silizium-Lawinengleichrichterdioden. Detailspezifikation Electronic parts of assessed quality. Silicon avalance rectifier diode Diodes de Zener redresseuses au silicium. Specification detaillee

实施日期：1971-08-15

BS 9300 C476-1973

Silizium-Lawinengleichrichterdioden. Detailspezifikation Electronic parts of assessed quality. Silicon avalanche rectifier diode Diode de Zener redresseuse au silicium. Specification detaillee

实施日期：1973-10-15

BS 6182-1-1994

煤矿中使用的固有安全电源.第1部分:直流电源规范

Eigensichere Stromversorgungsanlagen fuer den Einsatz in Kohlenbergwerken. Spezifikation fuer Gleichstromversorgungsanlagen Intrinsically Safe Power Supplies for Use in Coal Mines Part 1:Specification ...

适用范围：Specifies construction and testing of mains-input intrinsically safe 18 V, 12 V and 7.5 V d.c. output power supplies.

实施日期：1994-01-01