General procedures of measurement for electrical and optical parameters of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for spectral response curve and spectral response range of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for pulse rise time and fall time of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for excess noise factor of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for noise equivalent power of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for dark current of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
适用范围：本标准规定了带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管光电参数的检测项目及检测方法。 本标准适用于带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管的光电参数检测。
发布日期：1906-06-08 实施日期：1996-09-01
Method of measurement for multiplication factor of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for width of blind zone of PIN and avalanche photodiode matrix
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for reverse break-down voltage of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Determination of silicon photodiode or avalanche photodiode
适用范围：本标准规定了硅光电二极管、硅雪崩光电二极管的测试方法。 本标准适用于硅光电二极管、硅雪崩光电二极管（以下简称二极管）性能参数的测试，其它材料制作的半导体光电二极管性能参数的测试可参照使用。
发布日期：2004-09-01 实施日期：2004-12-01
Method of measurement for capacitance of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for responsivity of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for cross-light factor of PIN and avalanche photodiodes matrix
实施日期：1984-07-01
Method of measurement for forward voltage drop of PIN and avalanche photodiodes
实施日期：1984-07-01
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